例如，電池供電的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(sram)電路(非易失性存儲器模塊)至少需要兩個電源：sram存儲器(vin1)用高電流活動通道，以及一個供主電源缺失時保存存儲器內(nèi)容的低電流備用電源(vin2)。

　　通常的二極管或連接會給兩個通道都帶來問題(見圖2)。在vin1通道，二極管電壓降會造成供電電源超出容限：3.3v 10%，即最小2.97 v，所以典型二極管壓降(0.6v)使vin1超出10%限值。對低壓電源供電的存儲器ic容限問題更嚴(yán)重。

　　在備用端(vin2)，希望電壓降最小，以最大限度延長備用電源(不管是電池、超級電容還是其他電壓源)的使用壽命，雖然0.6v的壓降約為鋰離子電池全充電(4.1v) 輸出的15%。

　　肖特基二極管將正向壓降降低了0.3~0.5v，在一定程度上使情況有改善，但用fet代替二極管將壓降降低到0.1v。要制作一低正向壓降"fet或"電源，需要在圖1所示的每個功率通道各加一fet，這些fet受電源序列發(fā)生器(u1)控制。

　　可以在vin1通道使用一fdc633n晶體管(飛兆公司產(chǎn)品)，在vin2通道使用一fdn304p，將vin1和vin2上的損失降低到50mv以下。q1的選擇要考慮其電流處理能力和低導(dǎo)通電阻。q2的選擇考慮其低柵極-源極電壓(低至1.8v，等效兩個枯竭的各0.9v aa電池)和低導(dǎo)通電阻。

　　兩個fet均反向安裝以使其本身二極管反偏壓，這可避免從一個電源切換到另一電源時的過電流，使轉(zhuǎn)換平緩。

　　u1用作墻上適配器的電源感測器和去抖動電路，使用一可編程延遲(對典型固定的200ms延遲使用max6819)監(jiān)控vin1，確保墻上電源穩(wěn)定或高于u1斷開電壓后電池電源才關(guān)閉。

　　如果沒有d1，注意vin2可能在u1超時延遲期間被vin1(小于q1本身二極管壓降)反向驅(qū)動。為避免此問題，在初級電源(vin1)加電時d1使q2關(guān)斷。

　　u1的內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生柵極輸出，完全提高q1并加偏壓使q2截止，該柵極輸出約為vcc2 + 5.5v。加入r3以快速驅(qū)動?xùn)艠O信號至地電平，當(dāng)vin1移除時加速q2導(dǎo)通。r3應(yīng)盡可能大，這是因為加載柵極輸出會阻止負(fù)載電流的增加，降低柵極驅(qū)動能力。(為正確操作，本電路假設(shè)vin2幅度小于vin1幅度)。