熱敏、光敏特性演示器 (一)
發(fā)布時(shí)間:2008/5/28 0:00:00 訪問次數(shù):530
本例介紹的熱敏、光敏特性演示器,具有制作容易、調(diào)試簡單等特點(diǎn),可模擬演示出半導(dǎo)體材料的熱敏特性與光敏特性,在物理教學(xué)實(shí)驗(yàn)中有助于增加學(xué)生的感性認(rèn)識(shí)。
電路工作原理
該熱敏、光敏特性演示器電路由鍺材料晶體管v(或熱敏電阻器rt、光敏電阻器rg)、電位器rp、電阻器r、發(fā)光二極管vll-vl5、led電平指示集成電路ic和電池gb組成,如圖2-29所示。
圖2-29熱敏、光敏特性演示器電路(一)
實(shí)驗(yàn)演示半導(dǎo)體材料的熱敏特性時(shí),在a、b兩端接上一只熱敏電阻器rt或錯(cuò)材料晶體管v,然后用2ow電烙鐵靠近rt或v,使rt或v加溫。隨著rt或v溫度的升高,vll-vl5被逐一點(diǎn)亮;移開電烙鐵后,vll-vl5又逐個(gè)熄滅,表明該半導(dǎo)體材料是隨著溫度的升高而減小。調(diào)節(jié)rp的阻值,可以調(diào)整發(fā)光二極管起始點(diǎn)亮的溫度值。用于半導(dǎo)體光敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上光敏電阻器rg或v金屬外殼的頂部已磨透的鍺晶體管v(若是玻封晶體管,則應(yīng)將玻璃外殼外面的黑漆刮掉),使光線照到rg或v管殼內(nèi)鍺晶體管上,人射光越強(qiáng),vll-vl5中發(fā)光二極管點(diǎn)亮的個(gè)數(shù)越多,表明該半導(dǎo)體材料的電阻是隨著光強(qiáng)度的增大而減小。
元器件選擇
r選用1/2w金屬膜電阻器或碳膜電阻器。rt選用普通負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。
rg選用mg4i-mg45系列的光敏電阻器。
rp選用小型實(shí)心電位器或合成膜電位器。
vll-vl5均選用ф5mm或ф8mm的紅色發(fā)光二極管。
v選用3agl或3ax31型鍺pnp晶體管。用于光敏特性演示時(shí),也可使用光敏晶體管。
ic選用sl320型led電平指示器顯示驅(qū)動(dòng)集成電路。
本例介紹的熱敏、光敏特性演示器,具有制作容易、調(diào)試簡單等特點(diǎn),可模擬演示出半導(dǎo)體材料的熱敏特性與光敏特性,在物理教學(xué)實(shí)驗(yàn)中有助于增加學(xué)生的感性認(rèn)識(shí)。
電路工作原理
該熱敏、光敏特性演示器電路由鍺材料晶體管v(或熱敏電阻器rt、光敏電阻器rg)、電位器rp、電阻器r、發(fā)光二極管vll-vl5、led電平指示集成電路ic和電池gb組成,如圖2-29所示。
圖2-29熱敏、光敏特性演示器電路(一)
實(shí)驗(yàn)演示半導(dǎo)體材料的熱敏特性時(shí),在a、b兩端接上一只熱敏電阻器rt或錯(cuò)材料晶體管v,然后用2ow電烙鐵靠近rt或v,使rt或v加溫。隨著rt或v溫度的升高,vll-vl5被逐一點(diǎn)亮;移開電烙鐵后,vll-vl5又逐個(gè)熄滅,表明該半導(dǎo)體材料是隨著溫度的升高而減小。調(diào)節(jié)rp的阻值,可以調(diào)整發(fā)光二極管起始點(diǎn)亮的溫度值。用于半導(dǎo)體光敏特性演示時(shí),可在a、b兩端接上光敏電阻器rg或v金屬外殼的頂部已磨透的鍺晶體管v(若是玻封晶體管,則應(yīng)將玻璃外殼外面的黑漆刮掉),使光線照到rg或v管殼內(nèi)鍺晶體管上,人射光越強(qiáng),vll-vl5中發(fā)光二極管點(diǎn)亮的個(gè)數(shù)越多,表明該半導(dǎo)體材料的電阻是隨著光強(qiáng)度的增大而減小。
元器件選擇
r選用1/2w金屬膜電阻器或碳膜電阻器。rt選用普通負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。
rg選用mg4i-mg45系列的光敏電阻器。
rp選用小型實(shí)心電位器或合成膜電位器。
vll-vl5均選用ф5mm或ф8mm的紅色發(fā)光二極管。
v選用3agl或3ax31型鍺pnp晶體管。用于光敏特性演示時(shí),也可使用光敏晶體管。
ic選用sl320型led電平指示器顯示驅(qū)動(dòng)集成電路。
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