飛兆半導(dǎo)體公司(fairchildsemiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on)加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導(dǎo)損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導(dǎo)通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrenchmosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。

　　飛兆半導(dǎo)體功率產(chǎn)品部副總裁taehoonkim表示：“飛兆半導(dǎo)體的fdb2614和fdb2710mosfet具有領(lǐng)先的fom及采用緊湊的d2pak封裝，非常適合于pdp應(yīng)用中的路徑開關(guān)。這些器件經(jīng)過量身度做，可為纖巧的pdp板設(shè)計提供高電流處理能力和節(jié)省占位空間的封裝。飛兆半導(dǎo)體這項產(chǎn)品的推出再次彰顯了其決心和能力，為客戶解決最緊迫的應(yīng)用問題�！�

　　fdb2614和fdb2710的主要功能和優(yōu)勢包括：最低導(dǎo)通阻抗rds(on)及低柵極電荷，具備同級產(chǎn)品最佳的fom(rds(on)xqg)，能夠提高系統(tǒng)效率；d2pak(to-263)封裝，與具有類似rds(on)的更大型to-3p封裝平面mosfet比較，能夠節(jié)省板卡空間；高dv/dt和di/dt處理能力，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。

　　fdb2614和fdb2710均為無鉛器件，能達(dá)到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

　　供貨

　　現(xiàn)提供樣品，收到訂單后12周內(nèi)交貨。