開關電源技術的十個關注點(一)
發(fā)布時間:2008/5/29 0:00:00 訪問次數(shù):368
上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和scr相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
功率半導體器件從雙極型器件(bpt、scr、gto)發(fā)展為mos型器件(功率mosfet、
igbt、igct等),使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化,并大幅度降低導通損耗,電路也更為簡單。
自上世紀80年代開始,高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究,使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。
上世紀90年代中期,集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(ipem)技術開始發(fā)展,它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。
關注點一:功率半導體器件性能
1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超級結”(super-junction)結構,故又稱超結功率mosfet。工作電壓600v~800v,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。
igbt剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600v、25a。很長一段時間內,耐壓水平限于1200v~1700v,經(jīng)過長時間的探索研究和改進,現(xiàn)在igbt的電壓、電流額定值已分別達到3300v/1200a和4500v/1800a,高壓igbt單片耐壓已達到6500v,一般igbt的工作頻率上限為20khz~40khz,基于穿通(pt)型結構應用新技術制造的igbt,可工作于150khz(硬開關)和300khz(軟開關)。
igbt的技術進展實際上是通態(tài)壓降,快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同,igbt在20年歷史發(fā)展進程中,有以下幾種類型:穿通(pt)型、非穿通(npt)型、軟穿通(spt)型、溝漕型和電場截止(fs)型。
碳化硅sic是功率半導體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點是:禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、pn結耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。
可以預見,碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關注點二:開關電源功率密度
提高開關電源的功率密度,使之小型化、輕量化,是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動電話,數(shù)字相機等)尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有:
一是高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度,必須提高pwm變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。
壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質傳送能量,其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路,是功率變換領域的研究熱點之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量,必須設法改進電容器的性能,提高能量密度,并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器,要求電容量大、等效串聯(lián)電阻esr小、體積小等。
關注點三:高頻磁與同步整流技術
電源系統(tǒng)中應用大量磁元件,高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件,有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注,納米結晶軟磁材料也已開發(fā)應用。
高頻化以后,為了提高開關電源的效率,必須開發(fā)和應用軟開關技術。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。
對于低電壓、大電流輸出的軟開關變換器,進一步提高其效率的措施是設法降低開關的通態(tài)損耗。例如同步整流sr技術,即以功率mos管反接作為整流用開關二極管,代替蕭特基二極管(sbd),可降低管壓降,從而提高電路效率。
關注點四:分布電源結構
分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源,其優(yōu)點是:可實現(xiàn)dc/dc變換器組件模塊化;容易實現(xiàn)n+1功率冗余,提高系統(tǒng)可*性;易于擴增負載容量;可降低48v母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設計;瞬態(tài)響應好;可在線更換失效模塊等。
現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結構類型,一是兩級結構,另一種是三級結構。
關注點五:pfc變換器
由于ac/dc變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容,在正弦電壓輸入時,單相整流電源供電的電子設備,電網(wǎng)側(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6~0.65。采用pfc(功率因數(shù)校正)變換器,網(wǎng)側功率因數(shù)可提高到0.95~0.99,輸入電流th
上世紀60年代,開關電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和scr相控電源。40多年來,開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。
功率半導體器件從雙極型器件(bpt、scr、gto)發(fā)展為mos型器件(功率mosfet、
igbt、igct等),使電力電子系統(tǒng)有可能實現(xiàn)高頻化,并大幅度降低導通損耗,電路也更為簡單。
自上世紀80年代開始,高頻化和軟開關技術的開發(fā)研究,使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關技術是過去20年國際電力電子界研究的熱點之一。
上世紀90年代中期,集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(ipem)技術開始發(fā)展,它是當今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。
關注點一:功率半導體器件性能
1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超級結”(super-junction)結構,故又稱超結功率mosfet。工作電壓600v~800v,通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級,仍保持開關速度快的特點,是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。
igbt剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600v、25a。很長一段時間內,耐壓水平限于1200v~1700v,經(jīng)過長時間的探索研究和改進,現(xiàn)在igbt的電壓、電流額定值已分別達到3300v/1200a和4500v/1800a,高壓igbt單片耐壓已達到6500v,一般igbt的工作頻率上限為20khz~40khz,基于穿通(pt)型結構應用新技術制造的igbt,可工作于150khz(硬開關)和300khz(軟開關)。
igbt的技術進展實際上是通態(tài)壓降,快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同,igbt在20年歷史發(fā)展進程中,有以下幾種類型:穿通(pt)型、非穿通(npt)型、軟穿通(spt)型、溝漕型和電場截止(fs)型。
碳化硅sic是功率半導體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點是:禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、pn結耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體器件。
可以預見,碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關注點二:開關電源功率密度
提高開關電源的功率密度,使之小型化、輕量化,是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備(如移動電話,數(shù)字相機等)尤為重要。使開關電源小型化的具體辦法有:
一是高頻化。為了實現(xiàn)電源高功率密度,必須提高pwm變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。
壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動”變換和“振動-電壓”變換的性質傳送能量,其等效電路如同一個串并聯(lián)諧振電路,是功率變換領域的研究熱點之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量,必須設法改進電容器的性能,提高能量密度,并研究開發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器,要求電容量大、等效串聯(lián)電阻esr小、體積小等。
關注點三:高頻磁與同步整流技術
電源系統(tǒng)中應用大量磁元件,高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件,有許多問題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關注,納米結晶軟磁材料也已開發(fā)應用。
高頻化以后,為了提高開關電源的效率,必須開發(fā)和應用軟開關技術。它是過去幾十年國際電源界的一個研究熱點。
對于低電壓、大電流輸出的軟開關變換器,進一步提高其效率的措施是設法降低開關的通態(tài)損耗。例如同步整流sr技術,即以功率mos管反接作為整流用開關二極管,代替蕭特基二極管(sbd),可降低管壓降,從而提高電路效率。
關注點四:分布電源結構
分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源,其優(yōu)點是:可實現(xiàn)dc/dc變換器組件模塊化;容易實現(xiàn)n+1功率冗余,提高系統(tǒng)可*性;易于擴增負載容量;可降低48v母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設計;瞬態(tài)響應好;可在線更換失效模塊等。
現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結構類型,一是兩級結構,另一種是三級結構。
關注點五:pfc變換器
由于ac/dc變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容,在正弦電壓輸入時,單相整流電源供電的電子設備,電網(wǎng)側(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6~0.65。采用pfc(功率因數(shù)校正)變換器,網(wǎng)側功率因數(shù)可提高到0.95~0.99,輸入電流th
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