安森美半導體(onsemiconductor)日前宣布成功開發(fā)創(chuàng)新雙緣(dual-edge)脈沖寬度調制(pwm)控制器硅芯片產品，并開始為取得vr11電源授權廠商提供工程樣品。

　　功能更加豐富、性能更加提升以及配備日益普及的無線連通等各種功能需求將持續(xù)推動計算與數(shù)字消費電子產品市場的發(fā)展。安森美半導體新推出的直流─直流轉換控制器，特別針對必須具備高轉換效率之高度穩(wěn)定低電壓電源供應電路的有源應用提出解決方案，以符合vr11嚴格的規(guī)格。

　　安森美半導體模擬產品部高級副總裁兼總經(jīng)理施禮賢(larrysims)表示：“安森美半導體成功開發(fā)這直流─直流控制器將能夠大幅強化高性能cpu主板上的電源子系統(tǒng)，這產品預計將在年底推出面市，更進一步加強我們現(xiàn)有的ddr控制器、通用控制器、mosfet與分立器件等計算應用產品的組合�！�

　　雙緣(dual-edge)技術

　　具有比現(xiàn)今業(yè)界產品速度大幅提高的瞬變負載響應，安森美半導體的雙緣pwm技術將能夠讓電源管理子系統(tǒng)對使用者所進行的高效能計算進行快速反應。和安森美半導體的新雙緣pwm技術比較，業(yè)界現(xiàn)有的單緣解決方案需要用高于最優(yōu)的頻率運作，或者使用大量的電容保持電路，這些選擇需要更加復雜并且體積更大的電源管理子系統(tǒng)。通過在多相位電源波形上所有相位的同時轉換，安森美半導體的創(chuàng)新解決方案能夠提供比業(yè)界標準單緣控制更快的反應速度。這項改進和現(xiàn)有的前緣或后緣方案比較，將能夠讓電源管理子系統(tǒng)在更低的頻率運作，同時使用更少的保持電容。

　　產品特性包括：雙緣pwm對瞬變負載快速初始響應、動態(tài)參考注入、+0.5%系統(tǒng)電壓精確度、vr11遠程溫度傳感功能、逆向兼容vr10規(guī)格和無耗損差動式電感電流傳感。

　　其目標應用包括奔騰iv處理器、vrm模塊、圖形顯示適配卡和低電壓高電流電源應用。