安森美半導(dǎo)體（on semiconductor）推出業(yè)內(nèi)首個(gè)異步雙緣(dual-edge)脈沖寬度調(diào)制(pwm)控制器ncp5381。這全新控制器適用于快速瞬流響應(yīng)和先進(jìn)電源管理極為關(guān)鍵的應(yīng)用，如奔騰4處理器主板、vrm模塊和圖形卡。

安森美半導(dǎo)體模擬計(jì)算產(chǎn)品總監(jiān)施寶(michael stapleton)表示："通過(guò)使用工作個(gè)人電腦主板，安森美半導(dǎo)體推出了符合vr10和vr11性能的雙緣ncp5381 pwm控制器。看過(guò)現(xiàn)場(chǎng)展示的客戶對(duì)控制器的印象十分深刻，因?yàn)槠湫阅軆?yōu)異，可以方便地集成到現(xiàn)有的主板設(shè)計(jì)中，且最終可以幫助降低其vcore核心電壓電源管理子系統(tǒng)的總體成本。"

電平增高和電流轉(zhuǎn)換更快是長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)，故cpu電源設(shè)計(jì)人員面臨的主要挑戰(zhàn)之一在于特定主板上的cpu電壓必須保持穩(wěn)定，而有源功率要求有波動(dòng)。ncp5381的設(shè)計(jì)使電源管理子系統(tǒng)響應(yīng)用戶激活高性能計(jì)算功能，對(duì)負(fù)載瞬流的響應(yīng)明顯比現(xiàn)有業(yè)內(nèi)單緣、鎖存、時(shí)鐘或同步調(diào)制產(chǎn)品更快。這讓子系統(tǒng)的工作頻率更低，而且與現(xiàn)有調(diào)制方法相比，保持電容更少、更小。其結(jié)果是得到更加緊湊的解決方法，需要更少外部元件，因此比現(xiàn)有解決方法的性價(jià)比更高。

產(chǎn)品特性
* 雙緣pwm對(duì)瞬變負(fù)載快速初始響應(yīng)
* 正在申請(qǐng)專利的動(dòng)態(tài)參考注入(dynamic reference injection)
* +0.5%系統(tǒng)電壓精確度
* 符合vr11的遠(yuǎn)程溫度檢測(cè)
* 與vr10逆向兼容
* "無(wú)損"差分電感電流檢測(cè)

安森美半導(dǎo)體高級(jí)副總裁兼模擬產(chǎn)品部總經(jīng)理施禮賢 (larry sims) 說(shuō)："業(yè)內(nèi)已廣泛認(rèn)為cpu功率控制--特別是vcore核心電壓功率控制--的下一步，將需要昂貴的數(shù)字控制系統(tǒng)以克服今天同步控制器架構(gòu)的性能限制。安森美半導(dǎo)體的pwm控制器成功推出后，我們已證明這創(chuàng)新的雙緣架構(gòu)，能夠?yàn)橄冗M(jìn)cpu功率控制提供高性能的解決方案，性價(jià)比遠(yuǎn)高于數(shù)字或其他模擬平臺(tái)。"

完整的解決方案
除ncp5381外，安森美半導(dǎo)體的cpu功率控制4相解決方案還包括四個(gè)獨(dú)立12伏 (v) ncp3418b mosfet門極驅(qū)動(dòng)器，用于同步降壓。這些產(chǎn)品采用soic-8和dfn-10無(wú)鉛封裝。八個(gè)25 v、單n-溝道m(xù)osfet也是雙緣vcore核心電壓子系統(tǒng)解決方案的一部分，包括四個(gè)45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四個(gè)65 a的ntd65n03r mosfet。這些器件的rds(on)門極電荷以及逆向恢復(fù)電荷較小，而且使用無(wú)鉛dpak封裝。一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)mosfet用于驅(qū)動(dòng)ncp5381的四個(gè)輸出相位。

供貨日期
ncp5381mnr2g采用40引腳無(wú)鉛qfn封裝�，F(xiàn)備樣品供索，計(jì)劃于2006年第一季度投入生產(chǎn)。更多信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至michael.stapleton@onsemi.com或致電1-602-244-5027與mike stapleton聯(lián)系。

ncp5381拓展了安森美半導(dǎo)體現(xiàn)有計(jì)算應(yīng)用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立產(chǎn)品的產(chǎn)品系列。如欲了解更多有關(guān)安森美半導(dǎo)體器件的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.onsemi.com.cn。