一、中國半導(dǎo)體器件型號命名方法
　　
　　半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、pin型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
　　
　　第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
　　　
　　第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：a-n型鍺材料、b-p型鍺材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三極管時(shí)：a-pnp型鍺材料、b-npn型鍺材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。
　　
　　第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。p-普通管、v-微波管、w-穩(wěn)壓管、c-參量管、z-整流管、l-整流堆、s-隧道管、n-阻尼管、u-光電器件、k-開關(guān)管、x-低頻小功率管(f<3mhz,pc<1w)、g-高頻小功率管（f>3mhz,pc<1w)、d-低頻大功率管（f<3mhz,pc>1w)、a-高頻大功率管（f>3mhz,pc>1w)、t-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、y-體效應(yīng)器件、b-雪崩管、j-階躍恢復(fù)管、cs-場效應(yīng)管、bt-半導(dǎo)體特殊器件、fh-復(fù)合管、pin-pin型管、jg-激光器件。
　　
　　第四部分：用數(shù)字表示序號
　　
　　第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號
　　
　　例如：3dg18表示npn型硅材料高頻三極管
　　　
　　二、日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法
　　
　　日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號意義如下：
　　
　　第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
　　
　　第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會jeia注冊標(biāo)志。s-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會jeia注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。
　　
　　第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。a-pnp型高頻管、b-pnp型低頻管、c-npn型高頻管、d-npn型低頻管、f-p控制極可控硅、g-n控制極可控硅、h-n基極單結(jié)晶體管、j-p溝道場效應(yīng)管、k-n溝道場效應(yīng)管、m-雙向可控硅。
　　
　　第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會jeia登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會jeia登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
　　
　　第五部分：用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。a、b、c、d、e、f表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

　　三、美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

　　美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
　　
　　第一部分：用符號表示器件用途的類型。jan-軍級、jantx-特軍級、jantxv-超特軍級、jans-宇航級、（無）-非軍用品。
　　　　
　　第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
　　　　
　　第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（eia）注冊標(biāo)志。n-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（eia）注冊登記。
　　
　　第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。
　　
　　第五部分：用字母表示器件分檔。a、b、c、d、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：jan2n3251a表示pnp硅高頻小功率開關(guān)三極管，jan-軍級、2-三極管、n-eia注冊標(biāo)志、3251-eia登記順序號、a-2n3251a檔。

　　四、國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件型號命名方法

　　德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
　　
　　第一部分：用字母表示器件使用的材料。a-器件使用材料的禁帶寬度eg=0.6~1.0ev如鍺、b-器件使用材料的eg=1.0~1.3ev如硅、c-器件使用材料的eg>1.3ev如砷化鎵、d-器件使用材料的eg<0.6ev如銻化銦、e-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料
　　
　　第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。a-檢波開關(guān)混頻二極管、b-變?nèi)荻䴓O管、c-低頻小功率三極管、d-低頻大功率三極管、e-隧道二極管、f-高頻小功率三極管、g-復(fù)合器件及其他器件、h-磁敏二極管、k-開放磁路中的霍爾元件、l-高頻大功率三極管、m-封閉磁路中的霍爾元件、p-光敏器件、q-發(fā)光器件、r-小功率晶閘管、s-小功率開關(guān)管、t-大功率晶閘管、u-大功率開關(guān)管、x-倍增二極管、y-整流二極管、z-穩(wěn)壓二極管。

　　第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。

　　第四部分：用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。a、b、c、d、e┄┄-表示同一型號