日前，vishay推出了旨在滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求的20v p通道trenchfet功率mosfet，該器件采用micro foot芯片級封裝，具有此類器件中最薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。

　　vishay siliconix si8441db具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積，這也是在1.2v額定電壓時(shí)提供導(dǎo)通電阻的首款此類器件。該器件的典型應(yīng)用包括手機(jī)、pda、數(shù)碼相機(jī)、mp3播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)及電池保護(hù)。

　　si8441db提供了1.2v vgs時(shí)0.600ω至4.5v vgs時(shí)0.080ω的導(dǎo)通電阻范圍，且具有最高±5v的柵源電壓。其在1.2v額定電壓時(shí)出色的低導(dǎo)通電阻性能降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計(jì)中的空間。

　　vishay同時(shí)還推出了采用相同micro foot芯片級封裝的另一新款mosfet功率器件--20v p通道si8451db。si8451db的最高額定柵源電源為8v，其導(dǎo)通電阻范圍介于1.5v時(shí)0.200ω至4.5v時(shí)0.80ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的器件所實(shí)現(xiàn)的最佳值。

　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對電池充電間隔間的電池運(yùn)行時(shí)間的期望，設(shè)計(jì)人員需要具有低功耗的更小的mosfet封裝，這恰恰是vishay的si8441db及si8451db所具有的特點(diǎn)。

　　目前，上述兩款新型micro foot芯片級封裝功率mosfet的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。