作為世界最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子組件制造商之一，vishay公司在線(xiàn)繞和其他功率電阻器、箔電阻器、smd薄膜電阻器、引線(xiàn)式薄膜電阻器、液鉭電容器、應(yīng)變計(jì)傳感器和測(cè)壓元件市場(chǎng)上排名第一。此外，該公司還提供廣泛的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品，二極管和各類(lèi)晶體管、光電子產(chǎn)品、功率ic和模擬開(kāi)關(guān)ic。在vishay公司2007年主要產(chǎn)品銷(xiāo)售額中，無(wú)源器件占47％，分立半導(dǎo)體占53％，公司近10年的銷(xiāo)售額年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到20％。該公司市場(chǎng)傳訊部門(mén)全球網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)總監(jiān)craig hunter將獲得這些成就的原因歸納為以下三點(diǎn)：(1)在無(wú)源器件和分立半導(dǎo)體領(lǐng)域具有領(lǐng)先的技術(shù)；(2)在全球范圍內(nèi)提供技術(shù)支持和服務(wù)；(3)產(chǎn)品廣，能滿(mǎn)足不同客戶(hù)的需求。

　　鉭電容是vishay的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品，“特別是液體鉭高能電容器，由于采用了supertan技術(shù)的獨(dú)特封裝設(shè)計(jì)，可在高能應(yīng)用中提高可靠性及性能，非常適用用在航空和軍用領(lǐng)域的高能存儲(chǔ)和脈沖電源�！便g電容/mlcc部亞洲區(qū)市場(chǎng)部高級(jí)總監(jiān)songhee lau先生介紹道。he3采用可提高可靠性及性能的獨(dú)特雙密封技術(shù)，并且具有 3,300?f～72,000?f 的電容范圍，在所有液體鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容。

　　tr8系列模塑microtan鉭電容電容值范圍為1.0μf至220μf，標(biāo)準(zhǔn)電容容差為?10%至?20%。在采用0805封裝的該類(lèi)電容具有 0.8ω 超低 esr （在100 khz和47 ?f條件下），而采用 0603 封裝時(shí)，更是達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的 1.5ω esr 值。由于具有超低 esr 值以及小型 0805 和 0603 封裝，tr8 可在占用更小的pcb板面空間的同時(shí)，進(jìn)一步提高在音頻過(guò)濾和信號(hào)處理應(yīng)用中的效率。

　　“盡管諸如crt電視等一些電子產(chǎn)品的逐漸衰退將減少對(duì)應(yīng)用在這些產(chǎn)品中的無(wú)源器件的需求，但隨著更多具有新功能、新特性的電子產(chǎn)品的流行，包括手機(jī)、筆記本電腦和平板電視，全球電子業(yè)對(duì)電容、電阻、電感等無(wú)源器件的需求有增無(wú)減，并推動(dòng)這些器件在體積小型化的同時(shí)容量可以做到越來(lái)越大�！彪娮�/電感部門(mén)亞洲區(qū)市場(chǎng)部高級(jí)總監(jiān)victor goh先生表示。

　　例如，為最大限度增加當(dāng)今薄型便攜式電子產(chǎn)品的功率密度，vishay推出了超薄功率電感器ihlp-1616ab 系列。這些新型ihlp電感器僅占4x4 mm面積, 薄至1.2 mm，100％不含鉛，電感范圍介于0.047μh～4.7μh。對(duì)于各自的封裝尺寸，這些電感器均提供了最低的dcr/μh，可作為面向穩(wěn)壓器模塊(vrm)及直流到直流應(yīng)用且省空間、省電的高性能解決方案。特別是最新的ihlw(有翼的ihlp)電感器有助于以極低高度的封裝實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)所需的大電流，它采用1.2 mm有效封裝高度，但與3.5 mm元件的電流相同，并與具有ihlp電感器一樣的高可靠性和性能。該元件已在便攜式圖形卡中得到采用。

　　該公司的新型電子煙火啟動(dòng)器電阻芯片(epic)為首款可提供焦耳效應(yīng)點(diǎn)火的此類(lèi)器件，該器件可實(shí)現(xiàn)50μs的超快速點(diǎn)火時(shí)間以及高達(dá)70%的無(wú)火/點(diǎn)火比。epic電阻(也稱(chēng)為橋式電阻)為電阻元件，可在精確的電熱轉(zhuǎn)換過(guò)程中將電能轉(zhuǎn)換成熱能，以用于在受控的能量反應(yīng)中啟動(dòng)一系列點(diǎn)火反應(yīng)。新型電阻專(zhuān)為以下系統(tǒng)中的點(diǎn)火頭(squib header)應(yīng)用而進(jìn)行了優(yōu)化：部署了氣囊和其他安全設(shè)備的汽車(chē)安全系統(tǒng)；軍用飛行員彈射系統(tǒng)、機(jī)載導(dǎo)彈的爆炸螺栓脫離、干擾物投放器、炮彈激活器及反坦克地雷；采礦及爆破系統(tǒng)。

　　200v、30a雙高壓 tmbs trench肖特基整流器v30200c，具有比平面肖特基整流器更出色的多種優(yōu)勢(shì)。當(dāng)工作電壓轉(zhuǎn)向100v及更高時(shí)，平面肖特基整流器的高轉(zhuǎn)換速度及低正向壓降優(yōu)勢(shì)往往會(huì)大大折扣,但已獲專(zhuān)利的 tmbs 結(jié)構(gòu)可消除到漂移區(qū)的少數(shù)載流子注入，從而最大程度地減少存儲(chǔ)的電荷，以及提高轉(zhuǎn)換速度。憑借在15a及+125°c時(shí)一般為0.648v的極低vf以及出色的轉(zhuǎn)換性能，v30200c可降低功耗并提高開(kāi)關(guān)模式電源與or-ing二極管的效率。

　　“v30200c克服了傳統(tǒng)200 v 肖特基整流器的高正向電壓和高開(kāi)關(guān)損耗的弱點(diǎn)。tmbs是一種淺溝道的特殊設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，這種淺溝道薄氧化物tmbs ( stto-tmbs )結(jié)構(gòu)可以大幅度縮短制造中溝道蝕刻所需的處理時(shí)間，提高制造工藝吞吐量�！� pdd部門(mén)亞洲區(qū)資深市場(chǎng)經(jīng)理vincent tan指出。

　　根據(jù)siliconix部門(mén)高級(jí)應(yīng)用工程師sean wu介紹，vishay siliconix產(chǎn)品組合包括功率mosfet和集成產(chǎn)品解決方案。前者包括低電壓高速開(kāi)關(guān)mosfet、低電壓負(fù)載開(kāi)關(guān)mosfet、低電壓銷(xiāo)信號(hào)mosfet、高壓功率mosfet和汽車(chē)功率mosfet，后者包括電源管理ic、dc/dc功能封裝、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)ic、模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器。

　　“我們也提供針對(duì)hdmi應(yīng)用的模擬開(kāi)關(guān)等器件，但是客戶(hù)目前設(shè)計(jì)的hdmi產(chǎn)品大多數(shù)是用于產(chǎn)品認(rèn)證，因此我認(rèn)為hdmi的市場(chǎng)還沒(méi)有真正起來(lái)。”sean表示。