近日，英特爾和意法半導(dǎo)體宣布開始向客戶提供采用創(chuàng)新的相變存儲(chǔ)器(pcm)技術(shù)制造的未來(lái)存儲(chǔ)器的原型樣片，這是存儲(chǔ)器工業(yè)發(fā)展史上的一個(gè)重要的里程碑。這些原型樣片是市場(chǎng)上首批交付給客戶評(píng)測(cè)的相變存儲(chǔ)器的功能芯片，使相變存儲(chǔ)器技術(shù)向商業(yè)化目標(biāo)又邁進(jìn)了一步。

　　這款代碼為“alverstone”的存儲(chǔ)器芯片采用相變存儲(chǔ)器技術(shù)。相變存儲(chǔ)器是一種前景看好的新型存儲(chǔ)技術(shù)，數(shù)據(jù)讀寫速度非常快，功耗低于傳統(tǒng)的閃存技術(shù)，而且支持通常只有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)才具備的以數(shù)據(jù)位為單位的修改功能。相變存儲(chǔ)器一直以來(lái)是存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的一個(gè)熱門研究話題，“alverstone”的推出，標(biāo)志著英特爾和意法半導(dǎo)體已全力推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。

　　“這是非易失性存儲(chǔ)器發(fā)展40年來(lái)取得的最大進(jìn)步，”numonyx(即將成立的意法半導(dǎo)體和英特爾的合資閃存公司)的首席技術(shù)執(zhí)行官ed doller表示，“為了尋找和開發(fā)新的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，研發(fā)人員進(jìn)行了大量的嘗試，提出了很多先進(jìn)的概念，其中相變存儲(chǔ)技術(shù)是最引人關(guān)注的解決方案。今天英特爾和意法半導(dǎo)體把相變存儲(chǔ)器交給客戶，這對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)以及我們兩家公司都是一個(gè)具有里程碑意義的重大事件�！�

　　在相關(guān)的新聞報(bào)導(dǎo)中，英特爾和意法半導(dǎo)體的科研人員最近在國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)(isscc)上提出了一篇關(guān)于相變存儲(chǔ)技術(shù)的另一重大進(jìn)步的論文，兩家公司合作開發(fā)出了世界首款能夠在電路板上演示的采用相變存儲(chǔ)技術(shù)制造的高密度多層單元(mlc)芯片。從每單元只能存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)位的單層單元到多層單元技術(shù)的發(fā)展，不僅大幅度提高了存儲(chǔ)密度，還降低了每個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)成本，因此，采用多層單元和相變存儲(chǔ)兩大技術(shù)的存儲(chǔ)器是存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展上的一次重大進(jìn)步。

　　2003年，英特爾和意法半導(dǎo)體成立了一個(gè)相變存儲(chǔ)器合作開發(fā)項(xiàng)目組(jdp)。在2004年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)(vlsi)上，這個(gè)項(xiàng)目組演示了采用180納米工藝制造的8兆位相變存儲(chǔ)陣列；在2006年vlsi研討會(huì)上，該項(xiàng)目組率先發(fā)布了采用90納米的128兆位的alverstone相變存儲(chǔ)器芯片。2007年5月，意法半導(dǎo)體、英特爾和francisco partners簽訂合資協(xié)議，成立了一家獨(dú)立的半導(dǎo)體公司-numonyx，“alverstone”和相變存儲(chǔ)器合作開發(fā)項(xiàng)目組的未來(lái)產(chǎn)品都將轉(zhuǎn)交新公司。新公司的戰(zhàn)略重點(diǎn)是提供完整的存儲(chǔ)器解決方案，目標(biāo)市場(chǎng)鎖定在消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備，包括手機(jī)、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)等高科技設(shè)備。合資方計(jì)劃在2008年第一季度完成這筆交易。

　　據(jù)web-feet市場(chǎng)研究有限公司的研究報(bào)告，2007年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、閃存和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)等存儲(chǔ)器的市場(chǎng)總價(jià)值達(dá)到610億美元。按照傳統(tǒng)方式計(jì)算，存儲(chǔ)器技術(shù)的成本以摩爾定律的速度下降，隨著光刻圖形尺寸的每一次縮減，存儲(chǔ)器的密度每隔18個(gè)月就提高一倍。在今后十年內(nèi)，隨著隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)和閃存技術(shù)的特征尺寸縮減受到限制，相變存儲(chǔ)器將會(huì)以更快速的速度降低成本。相對(duì)于今天的技術(shù)，多層單元相變存儲(chǔ)器的問世將會(huì)進(jìn)一步加快相變存儲(chǔ)器技術(shù)的每位成本的下降速度。最終，因?yàn)榧瘎?dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)的位可修改特性、閃存的非易失性、nor閃存的快速讀取特性和nand閃存的快速寫入特性于一身，相變存儲(chǔ)器將能夠滿足整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求，而且可能會(huì)成為今后10年推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)的一個(gè)主要?jiǎng)恿�。alverstone是一款采用90納米技術(shù)制造的128兆位相變存儲(chǔ)器，設(shè)計(jì)目的是讓存儲(chǔ)器客戶評(píng)測(cè)相變存儲(chǔ)器的性能，讓手機(jī)和嵌入式系統(tǒng)客戶更好地了解相變存儲(chǔ)技術(shù)，以及如何在他們未來(lái)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中整合變相存儲(chǔ)器。