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Linear推出高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4446

發(fā)布時(shí)間:2008/6/13 0:00:00 訪問次數(shù):439

  凌力爾特公司(linear)推出高頻、高輸入電源電壓 (100v) mosfet驅(qū)動(dòng)器 ltc4446,用來驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 n 溝道功率 mosfet。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 mosfet 和一個(gè)凌力爾特公司的dc/dc控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 dc 開關(guān)。

  這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 mosfet 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5a 的電流,而以 0.55ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)同步 mosfet 時(shí)可提供 3a 的電流,從而非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) mosfet。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pf 負(fù)載時(shí),高端 mosfet 的快速 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。

  ltc4446 配置為使用兩個(gè)不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114v 時(shí)還可以工作。另外,該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內(nèi)同時(shí)驅(qū)動(dòng)高端和低端 mosfet 柵極。

  ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強(qiáng)型 msop-8 封裝,以 1000 片為單位批量購(gòu)買,每片價(jià)格為 1.69 美元。

性能概要:ltc4446

  高端/低端 n 溝道 mosfet 驅(qū)動(dòng)器

  最高電源電壓為 100v

  非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器

  高壓開關(guān)應(yīng)用

  大驅(qū)動(dòng)電流:在下拉阻抗為 0.55ω 時(shí)提供 3a 電流

  7.2v 至 13.5v 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓

  高端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pf 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns,下降時(shí)間為 5ns

  低端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pf 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 6ns,下降時(shí)間為 3ns

  為柵極驅(qū)動(dòng)電壓提供欠壓閉鎖

  耐熱增強(qiáng)型 msop-8 封裝



  凌力爾特公司(linear)推出高頻、高輸入電源電壓 (100v) mosfet驅(qū)動(dòng)器 ltc4446,用來驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 n 溝道功率 mosfet。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 mosfet 和一個(gè)凌力爾特公司的dc/dc控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 dc 開關(guān)。

  這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 mosfet 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5a 的電流,而以 0.55ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)同步 mosfet 時(shí)可提供 3a 的電流,從而非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) mosfet。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pf 負(fù)載時(shí),高端 mosfet 的快速 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開關(guān)損耗。

  ltc4446 配置為使用兩個(gè)不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114v 時(shí)還可以工作。另外,該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內(nèi)同時(shí)驅(qū)動(dòng)高端和低端 mosfet 柵極。

  ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強(qiáng)型 msop-8 封裝,以 1000 片為單位批量購(gòu)買,每片價(jià)格為 1.69 美元。

性能概要:ltc4446

  高端/低端 n 溝道 mosfet 驅(qū)動(dòng)器

  最高電源電壓為 100v

  非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器

  高壓開關(guān)應(yīng)用

  大驅(qū)動(dòng)電流:在下拉阻抗為 0.55ω 時(shí)提供 3a 電流

  7.2v 至 13.5v 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓

  高端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pf 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns,下降時(shí)間為 5ns

  低端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pf 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 6ns,下降時(shí)間為 3ns

  為柵極驅(qū)動(dòng)電壓提供欠壓閉鎖

  耐熱增強(qiáng)型 msop-8 封裝



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