非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (f-ram) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商ramtron international corporation推出業(yè)界首款2兆位 (mb) 串行f-ram存儲(chǔ)器，采用8腳tdfn (5.0 x 6.0 mm) 封裝。fm25h20 采用先進(jìn)的130納米 (nm) cmos工藝生產(chǎn)，是高密度的非易失性f-ram存儲(chǔ)器，以低功耗操作，并備有高速串行外設(shè)接口 (spi)。該3v、2mb串行f-ram器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠在計(jì)量和打印機(jī)等高級(jí)應(yīng)用中減少成本和板卡空間。

　　fm25h20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中，包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等，它們實(shí)際上是微型數(shù)據(jù)處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，f-ram的優(yōu)勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個(gè)數(shù)量級(jí)�！�

　　ramtron 戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理 duncan bennett 解釋道：“對于那些需要在其新一代應(yīng)用中提高數(shù)據(jù)采集能力，卻不增加板卡空間的計(jì)量和打印機(jī)客戶而言，這款 2mb 串行 f-ram 是自然的產(chǎn)品延伸。fm25h20 以相同的小占位面積，為半兆位串行 f-ram 客戶提供高達(dá)四倍的存儲(chǔ)能力。除提升現(xiàn)有系統(tǒng)外，這種技術(shù)發(fā)展還推動(dòng) f-ram 進(jìn)入多個(gè)需要低功耗存儲(chǔ)器而空間嚴(yán)重受限的新興市場，如便攜式醫(yī)療設(shè)備�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

　　fm25h20是256k x 8位非易失性存儲(chǔ)器，以高達(dá)40mhz的總線速度進(jìn)行讀寫操作，具有幾乎無限的耐用性、10年的數(shù)據(jù)保存能力，以及低工作電流。該器件設(shè)有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)spi接口，優(yōu)化了f-ram的高速寫入能力。fm25h20還備有軟件和硬件寫保護(hù)功能，能避免意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。