Linear推出高輸入電源電壓MOSFET驅(qū)動器LTC4446
發(fā)布時間:2008/6/18 0:00:00 訪問次數(shù):406
這個強大的驅(qū)動器以1.2ω下拉阻抗驅(qū)動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流,而以 0.55ω 下拉阻抗驅(qū)動同步 mosfet時可提供 3a 的電流,從而非常適用于驅(qū)動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動多個并聯(lián) mosfet。當(dāng)驅(qū)動一個 1000pf 負載時,高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內(nèi)部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114v 時還可以工作。另外,該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內(nèi)同時驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極。
ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝,以 1000 片為單位批量購買,每片價格為 1.69 美元。
性能概要:ltc4446
高端/低端 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
最高電源電壓為 100v
非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器
高壓開關(guān)應(yīng)用
大驅(qū)動電流:在下拉阻抗為 0.55ω 時提供 3a 電流
7.2v 至 13.5v 的柵極驅(qū)動電壓
高端柵極:驅(qū)動 1000pf 負載時上升時間為 8ns,下降時間為 5ns
低端柵極:驅(qū)動 1000pf 負載時上升時間為 6ns,下降時間為 3ns
為柵極驅(qū)動電壓提供欠壓閉鎖
耐熱增強型 msop-8 封裝
這個強大的驅(qū)動器以1.2ω下拉阻抗驅(qū)動高端 mosfet 時可以提供高達 2.5a 的電流,而以 0.55ω 下拉阻抗驅(qū)動同步 mosfet時可提供 3a 的電流,從而非常適用于驅(qū)動高柵極電容、大電流 mosfet。ltc4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動多個并聯(lián) mosfet。當(dāng)驅(qū)動一個 1000pf 負載時,高端 mosfet 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 mosfet 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
ltc4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內(nèi)部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114v 時還可以工作。另外,該器件在 7.2v 至 13.5v 的電壓范圍內(nèi)同時驅(qū)動高端和低端 mosfet 柵極。
ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐熱增強型 msop-8 封裝,以 1000 片為單位批量購買,每片價格為 1.69 美元。
性能概要:ltc4446
高端/低端 n 溝道 mosfet 驅(qū)動器
最高電源電壓為 100v
非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器
高壓開關(guān)應(yīng)用
大驅(qū)動電流:在下拉阻抗為 0.55ω 時提供 3a 電流
7.2v 至 13.5v 的柵極驅(qū)動電壓
高端柵極:驅(qū)動 1000pf 負載時上升時間為 8ns,下降時間為 5ns
低端柵極:驅(qū)動 1000pf 負載時上升時間為 6ns,下降時間為 3ns
為柵極驅(qū)動電壓提供欠壓閉鎖
耐熱增強型 msop-8 封裝
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