新25v芯片組結(jié)合ir新的hexfet mosfet硅技術(shù)與directfet封裝技術(shù)，整合高密度、單一控制和單一同步mosfet解決方案在so-8元件，并采用了0.7mm輕薄設(shè)計(jì)。新的irf6710s、irf6795m和irf6797m元件導(dǎo)通電阻(rds(on))非常低，也同時(shí)具備極低的閘電荷(qg)和閘漏極電荷(qgd)，以提升效率和溫度效能，并可在每相位逾25a的情況下運(yùn)作。

　　irf6710s 0.3ohms的極低閘電阻和3.0nc的超低米勒電荷(qgd)，可大幅減低開關(guān)損耗，適合作為控制mosfet之用。irf6795m和irf6797m擁有極低的rds(on)，故當(dāng)整合式肖特基整流器(schottky rectifier)降低二極管傳導(dǎo)損耗和反向修復(fù)損耗，這些新元件就能顯著減少傳導(dǎo)損耗。irf6795m和irf6797m采用通用mx占用面積，因此能輕易由原有syncfet元件轉(zhuǎn)而使用新元件。