國際整流器公司(international rectifier，簡稱ir) 推出25v同步降壓式轉(zhuǎn)換器directfet mosfet芯片組，適用于負(fù)載點 (pol) 轉(zhuǎn)換器設(shè)計，以及服務(wù)器、高端臺式和筆記本電腦應(yīng)用。

　　新25v芯片組結(jié)合了ir最新的hexfet mosfet硅技術(shù)與先進的directfet封裝技術(shù)，在so-8占位面積及0.7mm纖薄設(shè)計中實現(xiàn)了高密度、單控制和單同步mosfet解決方案。新的irf6710s2、irf6795m和irf6797m器件的特點包括：非常低的導(dǎo)通電阻 (rds(on))、柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) ，以實現(xiàn)高效率和散熱性能，并可實現(xiàn)每相超過25a的工作。

　　ir亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“irf6710s2控制mosfet具備極低的柵極電阻 (rg) 及電荷，而且當(dāng)與irf6795m和irf6797m這些集成了肖特基整流器的同步mosfet共同設(shè)計時，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻、高效dc-dc轉(zhuǎn)換器解決方案，在整個負(fù)載范圍發(fā)揮卓越性能�！�

　　irf6710s擁有0.3ω的極低柵極電阻和3.0 nc的超低米勒電荷 (qgd) ，可以大幅減低開關(guān)損耗，使這些器件非常適合作為控制mosfet使用。

　　irf6795m和irf6797m擁有極低的rds(on)，可以顯著減少導(dǎo)通損耗，而集成的肖特基整流器可以降低二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗，使這些新器件非常適合大電流同步mosfet電路。irf6795m和irf6797m采用通用mx占位面積，能輕易由原有syncfet器件轉(zhuǎn)向使用新器件。

　　新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。

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