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ST發(fā)布首款6Gb/s SATA硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器MIPHY物理層接口IP模塊

發(fā)布時(shí)間:2008/8/20 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):415

  意法半導(dǎo)體(st)近日發(fā)布首款支持新的6gb/s sata(串行先進(jìn)技術(shù)連接)硬盤(pán)連接標(biāo)準(zhǔn)的miphy(多標(biāo)準(zhǔn)接口物理層)物理層接口。物理層宏單元對(duì)來(lái)自和發(fā)送到硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)執(zhí)行高速串行化和解串行化轉(zhuǎn)換功能,并提供一個(gè)用于連接數(shù)據(jù)鏈路層的20位寬并行接口。sata 是目前最流行的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(hdd)接口,sata國(guó)際組織(sata-io)在舊金山舉行的英特爾開(kāi)發(fā)者論壇(idf)上公布了新的接口標(biāo)準(zhǔn),新標(biāo)準(zhǔn)把最大數(shù)據(jù)傳輸速率從3gb/s提高到6gb/s,st在同一時(shí)間展示了新產(chǎn)品。

  st的6gb/s sata phy是一個(gè)ip(知識(shí)資產(chǎn))模塊,與其它功能模塊一起集成到低功耗的1.5gb/s、3gb/s 和 6gb/s sata 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)芯片(soc)上。st展示的物理層模塊包含sata物理層串口,采用65nm cmos制程。一家知名的領(lǐng)導(dǎo)硬盤(pán)廠商將在今年下半年的新產(chǎn)品中采用這項(xiàng)技術(shù)。

  “隨著消費(fèi)者在硬盤(pán)上存儲(chǔ)越來(lái)越多的音樂(lè)、視頻和圖片等多媒體文件,他們需要更快的硬盤(pán)數(shù)據(jù)傳輸速率,”st數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理vittorio peduto表示,“st與sata國(guó)際組織保持著密切的合作關(guān)系,這樣能夠保證我們?cè)诘谝粫r(shí)間為硬盤(pán)廠商制造提供經(jīng)過(guò)權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證的解決方案。”

  st的65nm miphy ip模塊在上一代90nm技術(shù)基礎(chǔ)上取得了巨大的飛躍。新的miphy模塊給硬盤(pán)廠商帶來(lái)更大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值,新產(chǎn)品的裸片尺寸縮小了35%,功耗降低了30%。在均衡電路和收發(fā)電路方面,架構(gòu)經(jīng)過(guò)進(jìn)一步改進(jìn),抗抖動(dòng)性能明顯增強(qiáng),發(fā)送抖動(dòng)現(xiàn)象減弱。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于移動(dòng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)和成本敏感的臺(tái)式硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器pc市場(chǎng)特別重要,因?yàn)樵谶@兩個(gè)市場(chǎng)上的系統(tǒng)制造商特別需要提供高性能低功耗的產(chǎn)品來(lái)區(qū)別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)



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  st的6gb/s sata phy是一個(gè)ip(知識(shí)資產(chǎn))模塊,與其它功能模塊一起集成到低功耗的1.5gb/s、3gb/s 和 6gb/s sata 硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)芯片(soc)上。st展示的物理層模塊包含sata物理層串口,采用65nm cmos制程。一家知名的領(lǐng)導(dǎo)硬盤(pán)廠商將在今年下半年的新產(chǎn)品中采用這項(xiàng)技術(shù)。

  “隨著消費(fèi)者在硬盤(pán)上存儲(chǔ)越來(lái)越多的音樂(lè)、視頻和圖片等多媒體文件,他們需要更快的硬盤(pán)數(shù)據(jù)傳輸速率,”st數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品部總經(jīng)理vittorio peduto表示,“st與sata國(guó)際組織保持著密切的合作關(guān)系,這樣能夠保證我們?cè)诘谝粫r(shí)間為硬盤(pán)廠商制造提供經(jīng)過(guò)權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證的解決方案!

  st的65nm miphy ip模塊在上一代90nm技術(shù)基礎(chǔ)上取得了巨大的飛躍。新的miphy模塊給硬盤(pán)廠商帶來(lái)更大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值,新產(chǎn)品的裸片尺寸縮小了35%,功耗降低了30%。在均衡電路和收發(fā)電路方面,架構(gòu)經(jīng)過(guò)進(jìn)一步改進(jìn),抗抖動(dòng)性能明顯增強(qiáng),發(fā)送抖動(dòng)現(xiàn)象減弱。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于移動(dòng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)和成本敏感的臺(tái)式硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器pc市場(chǎng)特別重要,因?yàn)樵谶@兩個(gè)市場(chǎng)上的系統(tǒng)制造商特別需要提供高性能低功耗的產(chǎn)品來(lái)區(qū)別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

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