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高性能32位內(nèi)核與基于微控制器存儲架構的集成

發(fā)布時間:2008/9/2 0:00:00 訪問次數(shù):556

 。常病∥弧。恚悖酢⌒阅懿町

  微控制器(mcu)領域如今仍由。浮∥缓汀。保丁∥黄骷刂,但隨著更高性能的 32 位處理器開始在。恚悖酢∈袌鰟(chuàng)造巨大收益,在系統(tǒng)設計方面,芯片架構師面臨著。穑恪≡O計人員早在十年前便遇到的挑戰(zhàn)。盡管新內(nèi)核在速度和性能方面都在不斷提高,一些關鍵支持技術卻沒有跟上發(fā)展的步伐,從而導致了嚴重的性能瓶頸。

  很多 mcu 完全依賴于兩種類型的內(nèi)部存儲器件。適量的 sram 可提供數(shù)據(jù)存儲所需的空間,而。睿铮颉¢W存可提供指令及固定數(shù)據(jù)的空間。

  在新。常病∥粌(nèi)核的尺寸和運行速度方面,嵌入式。螅颍幔怼〖夹g正在保持同步。成熟的。螅颍幔怼〖夹g在 100mhz 的運行范圍更易于實現(xiàn)。對。恚悖酢∷璧牡湫汀。颍幔怼∪萘縼碚f,這個速度級別也更具成本效益。

  但是標準的 nor 閃存卻落在了基本。常病∥粌(nèi)核時鐘速度之后,幾乎相差一個數(shù)量級。當前的嵌入式。睿铮颉¢W存技術的存取時間基本為。担埃睿蟆。ǎ玻啊。恚瑁_@在閃存器件和內(nèi)核間轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)的能力方面造成了真正的瓶頸,因為很多時鐘周期可能浪費在等待閃存找回特定指令上。

  標準mcu 執(zhí)行模型——xip。ǎ澹澹悖酰簦濉。椋睢。穑欤幔悖澹└觿×颂幚砥鲀(nèi)核速度和閃存存取時間之間的性能差距。

  大容量存儲中的應用容錯及。螅颍幔磔^高的成本是選擇直接從閃存執(zhí)行的兩個主要原因。存儲在閃存內(nèi)的程序基本不會被系統(tǒng)內(nèi)的隨機錯誤破壞,如電源軌故障。利用閃存直接執(zhí)行還無需為mcu器件提供足夠的。螅颍幔,來將應用從一個。颍铮怼』蜷W存器件復制至目標 ram 執(zhí)行空間。

  消除差距

  理想的情況是,改進閃存技術,以匹配32位內(nèi)核的性能。雖然當前的技術有一定的局限,仍有一些有效的方法,可幫助架構師解決性能瓶頸問題。

  簡單的指令預取緩沖器和指令高速緩存系統(tǒng)在32位mcu設計中的采用,將大大提高mcu的性能。下面將介紹系統(tǒng)架構師如何利用這些技術將16位的mcu架構升級至32位內(nèi)核cpu。

  在。恚悖酢≡O計中引入。常参粌(nèi)核

  圖。薄〗榻B了將現(xiàn)有16位設計升級至基本32位內(nèi)核的情況,顯示了新32 位內(nèi)核及其基本外設集合之間的基本聯(lián)系。由于我們在討論將新的32位處理器內(nèi)核集成至新的 mcu 設計,我們假設可采用新32位內(nèi)核采用以下規(guī)范。

  圖1  為現(xiàn)有設計引入32位內(nèi)核

 。常病∥粌(nèi)核——改良的哈佛架構

  與很多。恚悖酢∫粯,新的。常参弧(nèi)核也采用改良的哈佛架構。因此,程序存儲和數(shù)據(jù)存儲空間是在兩個獨立的總線構架上執(zhí)行。一個純哈佛設計可防止數(shù)據(jù)在程序存儲空間被讀取,該內(nèi)核改良的哈佛架構設計仍可實現(xiàn)這樣的操作,同時,該32位內(nèi)核設計還可實現(xiàn)程序指令在數(shù)據(jù)存儲空間的執(zhí)行。

  在標準總線周期內(nèi),程序和數(shù)據(jù)存儲器接口允許插入等待狀態(tài),有助于響應速度緩慢的存儲或存儲映射器件。

  32位內(nèi)核——工作頻率

  新內(nèi)核的最高工作時鐘頻率為120mhz,是被替代的16位內(nèi)核速度的六倍。

 。常参粌(nèi)核——指令存儲器接口

  指令存儲系統(tǒng)接口有一個32位寬的數(shù)據(jù)總線,以及一個總共地址空間為1mb的20位寬的地址總線。盡管。常参粌(nèi)核具備更大的地址空間,而這足夠滿足這個mcu的目標應用空間。標準的控制信號同樣具備為緩慢的存儲器件插入等待狀態(tài)的能力。

  該設計的閃存器件與16位設計采用的技術一樣,最高運行速度達20。恚瑁

 。常病∥粌(nèi)核——數(shù)據(jù)存儲器接口

  系統(tǒng) sram 和存儲器映射外設都通過系統(tǒng)控制器與處理器數(shù)據(jù)總線相連。系統(tǒng)控制器可提供額外的地址解碼及其他控制功能,幫助處理器內(nèi)核正確訪問數(shù)據(jù)存儲器或存儲器映射外設,而無需處理特定的等待狀態(tài)、不同的數(shù)據(jù)寬度或每個映射到數(shù)據(jù)存儲空間的器件的其他特殊需求。

  系統(tǒng)控制器和處理器內(nèi)核之間的數(shù)據(jù)總線為。常病∥粚,與系統(tǒng)控制器和sram 間的數(shù)據(jù)總線寬度相同。系統(tǒng)控制器和外設以及。纾穑椋铩《丝陂g的數(shù)據(jù)總線寬度可為 8 位、16 位或 32 位,視需求而定。

  目標設計采用的。螅颍幔怼∨c 16 位設計采用的類型相同,在。保玻啊。恚瑁鷷r可實現(xiàn)。啊〉却隣顟B(tài)操作。

  初步分析

  目前系統(tǒng)的性能由幾個因素控制。處理器內(nèi)核與閃存器件速度的差異可極大地影響性能,因為至少有五個等待狀態(tài)必須添加到每個指令提取中。根據(jù)粗粒經(jīng)驗法則,至少每十個指令有一個讀取或存儲。每條指令加權平均周期(cpi)的典型順序為:

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  微控制器(mcu)領域如今仍由。浮∥缓汀。保丁∥黄骷刂,但隨著更高性能的。常病∥惶幚砥鏖_始在。恚悖酢∈袌鰟(chuàng)造巨大收益,在系統(tǒng)設計方面,芯片架構師面臨著。穑恪≡O計人員早在十年前便遇到的挑戰(zhàn)。盡管新內(nèi)核在速度和性能方面都在不斷提高,一些關鍵支持技術卻沒有跟上發(fā)展的步伐,從而導致了嚴重的性能瓶頸。

  很多 mcu 完全依賴于兩種類型的內(nèi)部存儲器件。適量的。螅颍幔怼】商峁⿺(shù)據(jù)存儲所需的空間,而。睿铮颉¢W存可提供指令及固定數(shù)據(jù)的空間。

  在新。常病∥粌(nèi)核的尺寸和運行速度方面,嵌入式。螅颍幔怼〖夹g正在保持同步。成熟的。螅颍幔怼〖夹g在 100mhz 的運行范圍更易于實現(xiàn)。對。恚悖酢∷璧牡湫汀。颍幔怼∪萘縼碚f,這個速度級別也更具成本效益。

  但是標準的。睿铮颉¢W存卻落在了基本 32 位內(nèi)核時鐘速度之后,幾乎相差一個數(shù)量級。當前的嵌入式。睿铮颉¢W存技術的存取時間基本為。担埃睿蟆。ǎ玻啊。恚瑁。這在閃存器件和內(nèi)核間轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)的能力方面造成了真正的瓶頸,因為很多時鐘周期可能浪費在等待閃存找回特定指令上。

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  大容量存儲中的應用容錯及。螅颍幔磔^高的成本是選擇直接從閃存執(zhí)行的兩個主要原因。存儲在閃存內(nèi)的程序基本不會被系統(tǒng)內(nèi)的隨機錯誤破壞,如電源軌故障。利用閃存直接執(zhí)行還無需為mcu器件提供足夠的 sram,來將應用從一個 rom 或閃存器件復制至目標。颍幔怼(zhí)行空間。

  消除差距

  理想的情況是,改進閃存技術,以匹配32位內(nèi)核的性能。雖然當前的技術有一定的局限,仍有一些有效的方法,可幫助架構師解決性能瓶頸問題。

  簡單的指令預取緩沖器和指令高速緩存系統(tǒng)在32位mcu設計中的采用,將大大提高mcu的性能。下面將介紹系統(tǒng)架構師如何利用這些技術將16位的mcu架構升級至32位內(nèi)核cpu。

  在。恚悖酢≡O計中引入 32位內(nèi)核

  圖。薄〗榻B了將現(xiàn)有16位設計升級至基本32位內(nèi)核的情況,顯示了新32 位內(nèi)核及其基本外設集合之間的基本聯(lián)系。由于我們在討論將新的32位處理器內(nèi)核集成至新的。恚悖酢≡O計,我們假設可采用新32位內(nèi)核采用以下規(guī)范。

  圖1  為現(xiàn)有設計引入32位內(nèi)核

  32 位內(nèi)核——改良的哈佛架構

  與很多。恚悖酢∫粯,新的 32位 內(nèi)核也采用改良的哈佛架構。因此,程序存儲和數(shù)據(jù)存儲空間是在兩個獨立的總線構架上執(zhí)行。一個純哈佛設計可防止數(shù)據(jù)在程序存儲空間被讀取,該內(nèi)核改良的哈佛架構設計仍可實現(xiàn)這樣的操作,同時,該32位內(nèi)核設計還可實現(xiàn)程序指令在數(shù)據(jù)存儲空間的執(zhí)行。

  在標準總線周期內(nèi),程序和數(shù)據(jù)存儲器接口允許插入等待狀態(tài),有助于響應速度緩慢的存儲或存儲映射器件。

 。常参粌(nèi)核——工作頻率

  新內(nèi)核的最高工作時鐘頻率為120mhz,是被替代的16位內(nèi)核速度的六倍。

 。常参粌(nèi)核——指令存儲器接口

  指令存儲系統(tǒng)接口有一個32位寬的數(shù)據(jù)總線,以及一個總共地址空間為1mb的20位寬的地址總線。盡管。常参粌(nèi)核具備更大的地址空間,而這足夠滿足這個mcu的目標應用空間。標準的控制信號同樣具備為緩慢的存儲器件插入等待狀態(tài)的能力。

  該設計的閃存器件與16位設計采用的技術一樣,最高運行速度達20。恚瑁

 。常病∥粌(nèi)核——數(shù)據(jù)存儲器接口

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  系統(tǒng)控制器和處理器內(nèi)核之間的數(shù)據(jù)總線為。常病∥粚,與系統(tǒng)控制器和sram 間的數(shù)據(jù)總線寬度相同。系統(tǒng)控制器和外設以及。纾穑椋铩《丝陂g的數(shù)據(jù)總線寬度可為。浮∥弧ⅲ保丁∥换颉。常病∥唬曅枨蠖。

  目標設計采用的 sram 與。保丁∥辉O計采用的類型相同,在 120。恚瑁鷷r可實現(xiàn)。啊〉却隣顟B(tài)操作。

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  目前系統(tǒng)的性能由幾個因素控制。處理器內(nèi)核與閃存器件速度的差異可極大地影響性能,因為至少有五個等待狀態(tài)必須添加到每個指令提取中。根據(jù)粗粒經(jīng)驗法則,至少每十個指令有一個讀取或存儲。每條指令加權平均周期(cpi)的典型順序為:

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