吸收電路一般由電阻、電容和二極管組成，常和開關(guān)管或二極管（包括高頻整流二極管）并接，使開關(guān)管上電壓的應(yīng)力減小、emi減少，使負(fù)載線的軌跡不超過安全工作區(qū)，不發(fā)生二次擊穿。下面仍以反激轉(zhuǎn)換器為例進(jìn)行介紹。

　　當(dāng)圖1所示的控制脈沖ug在t＝t1為低電壓時開關(guān)管v趨于關(guān)斷，ic下降，由于lp、llt的作用，集電極電壓增加，形成isnb吸收電路電流，以維持變壓器初級繞組電流ip不變（ip＝ic十isnb）.isnb流過d1對c1充電。

　　如果開關(guān)管v關(guān)斷的很快（最好條件），集電極電壓的變化率duc／d／由下式?jīng)Q定

　　隨著開關(guān)管v的關(guān)斷，線性增加的集電極電壓uce在t＝t3時達(dá)到2倍ui的電壓。短時間之后（延時決定于初級至次級漏電感的大�。�(dāng)次級繞組電壓上升到ucz加上d2的壓降時，形成圓弧形上升的電流iso在這時反激電流將從初級至次級電路換流，換流過程的速率由次級漏電感及外部電感電容來決定。

　　圖1中示出了初、次級換流過程的波形。在t＝t2，ip＝0時，開關(guān)管v的uce＝uceo的70％為好。此后在isnb充電下，uce繼續(xù)斜線上升，當(dāng)上升到2×ui時，極性反轉(zhuǎn)的p4電壓耦合到△，足以使d3導(dǎo)通，因此在t＝t3時出現(xiàn)ifb，抑制了uce的繼續(xù)上升。在ifb＝0時，次級達(dá)到i's電流穩(wěn)壓值。

　　如果要實現(xiàn)上述理想情況，需要仔細(xì)地選擇參數(shù)和實驗調(diào)整。圖2示出了無吸收環(huán)節(jié)情況。圖3示出了有吸收環(huán)節(jié)的情況。

　　圖1 吸收電路的作用及電流電壓波形

　　圖2 無吸收環(huán)節(jié)情況圖

　　圖3 有吸收環(huán)節(jié)情況圖

　　值得指出的是，如果開關(guān)管v裝有散熱器時，散熱器是集電極（或是隔電傳熱式）。在開關(guān)管v的集電極與電源公共線之間存在電容時，它為集電極電流提供了工條附加的通路。它也是引起集電極電流存在的事實。不過，它與安裝有關(guān)，與開關(guān)管本身存在的miller電流效應(yīng)不能混淆。另外，它的數(shù)值也比較大一些，它的存在對減小ducd／dt是有好處的。

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