場效應(yīng)晶體管（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而fet僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（10⁸～10⁹w功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

　　場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（jfet）因有兩個pn結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是mos場效應(yīng)管，簡稱mos管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πmos場效應(yīng)管、vmos功率模塊等。

　　按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和p溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

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