uv eprom的單元結(jié)構(gòu)如圖所示。其基本結(jié)構(gòu)與在下一章中說明的閃速存儲(chǔ)器相同。uv-eprom的存儲(chǔ)單元是由mosfet（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）構(gòu)成的，在它的控制柵和n溝道間有一個(gè)稱為浮置柵的特殊柵極，這是uv-eprom單元結(jié)構(gòu)的主要特征。

　　圖 uv-eprom的單元結(jié)構(gòu)

　　由于浮置柵利用氧化膜使柵極與基板絕緣，使存儲(chǔ)于此處的電荷不能被輕易釋放，從而達(dá)到持續(xù)保存記憶的目的。與閃速存儲(chǔ)器相同，通過浮置柵中是否存儲(chǔ)電荷，利用fet（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的閾值電壓的變化，進(jìn)行高電平與低電平的判斷。一般地講，uv一eprom在擦除狀態(tài)（浮置柵中未存儲(chǔ)電荷的狀態(tài)）時(shí)，讀出“高電平”；而在存儲(chǔ)電荷狀態(tài)時(shí)，讀出“低電平”。

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