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非結(jié)晶硅太陽電池概念

發(fā)布時間:2009/2/11 0:00:00 訪問次數(shù):580

  非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池,它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同,硅材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。1997年占世界pv發(fā)貨量的15%,目前已形成30mw/年的生產(chǎn)規(guī)模。針對a-si電池初始效率較低,且有光致衰退問題,開展了大量深入研究工作。通過減少材料中的si—h2鍵、減少o2、n2等雜質(zhì)沾污,利用h2稀釋技術(shù)等制備高質(zhì)量i層;同時優(yōu)化電池結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用多帶隙疊層結(jié)構(gòu);既提高了初始效率又提高了其穩(wěn)定性,目前最好電池的穩(wěn)定效率達(dá)13%。近年來a-si電池的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程令人矚目;1997年以來建成和將于1999年建成的生產(chǎn)能45mw/a。

  非晶體硅太陽能電池按材料不同可分為:多晶硅系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、碲化鎘系薄膜太陽能電池、砷化鎵系薄膜太陽能電池、銅銦硒系薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池和染料敏化型太陽能電池等。

  多晶硅薄膜太陽能電池

  通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350-450μm的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大小,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法,包括低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd)和等離子增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝。此外,液相外延法(lppe)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。

  化學(xué)氣相沉積主要是以sih2cl2、sihcl3、sicl4或sih4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用si、sio2、si3n4等。但研究發(fā)現(xiàn),在非硅襯底上很難形成較大的晶粒,并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 lpcvd在襯底上沉熾一層較薄的非晶硅層,再將這層非晶硅層退火,得到較大的晶粒,然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜,因此,再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個環(huán)節(jié),目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外,另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù),這樣制得的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。德國費萊堡太陽能研究所采用區(qū)館再結(jié)晶技術(shù)在fz si襯底上制得的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19%,日本三菱公司用該法制備電池,效率達(dá)16.42%。

  液相外延(lpe)法的原理是通過將硅熔融在母體里,降低溫度析出硅膜。美國astropower公司采用lpe制備的電池效率達(dá)12.2%。中國光電發(fā)展技術(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒,并設(shè)計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池,稱之為“硅粒”太陽能電池,但有關(guān)性能方面的報道還未見到。

  非晶硅薄膜太陽能電池

  開發(fā)太陽能電池的兩個關(guān)鍵問題就是:提高轉(zhuǎn)換效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太陽能電池的成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn),普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展,其實早在70年代初,carlson等就已經(jīng)開始了對非晶硅電池的研制工作,近幾年它的研制工作得到了迅速發(fā)展,目前世界上己有許多家公司在生產(chǎn)該種電池產(chǎn)品。

  非晶硅作為太陽能材料盡管是一種很好的電池材料,但由于其光學(xué)帶隙為1.7ev, 使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區(qū)域不敏感,這樣一來就限制了非晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。此外,其光電效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減,即所謂的光致衰退s一w效應(yīng),使得電池性能不穩(wěn)定。解決這些問題的這徑就是制備疊層太陽能電池,疊層太陽能電池是由在制備的p、i、n層單結(jié)太陽能電池上再沉積一個或多個p-i-n子電池制得的。疊層太陽能電池提高轉(zhuǎn)換效率、解決單結(jié)電池不穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題在于:

 、偎巡煌麕挾鹊牟目平M臺在一起,提高了光譜的響應(yīng)范圍;

  ②頂電池的i層較薄,光照產(chǎn)生的電場強度變化不大,保證i層中的光生載流子抽出;

  ③底電池產(chǎn)生的載流子約為單電池的一半,光致衰退效應(yīng)減;

  ④疊層太陽能電池各子電池是串聯(lián)在一起的! 》蔷Ч璞∧ぬ柲茈姵氐闹苽浞椒ㄓ泻芏,其中包括反應(yīng)濺射法、pecvd法、lpcvd法等,反應(yīng)原料氣體為h2稀釋的sih4,襯底主要為玻璃及不銹鋼片,制成的非晶硅薄膜經(jīng)過不同的電池工藝過程可分別制得單結(jié)電池和疊層太陽能電池。目前非晶硅太陽能電池的研究取得兩大進(jìn)展:第一、三疊層結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到13%,創(chuàng)下新的記錄;第二、三疊層太陽能電池年生產(chǎn)能力達(dá)5mw。美國聯(lián)合太陽能公司(vssc)制得的單結(jié)太陽能電池最高轉(zhuǎn)換效率為9.3%,三帶隙三疊層電池最高轉(zhuǎn)換效率為13%。  上述最高轉(zhuǎn)換效率是在小面積(0.25cm2)電池上取得的。曾有文獻(xiàn)報道單結(jié)非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率超過12.5%,日本中央研究院采用一系列新措施,制得的非晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率為13.2

  非晶硅太陽電池是1976年有出現(xiàn)的新型薄膜式太陽電池,它與單晶硅和多晶硅太陽電池的制作方法完全不同,硅材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。1997年占世界pv發(fā)貨量的15%,目前已形成30mw/年的生產(chǎn)規(guī)模。針對a-si電池初始效率較低,且有光致衰退問題,開展了大量深入研究工作。通過減少材料中的si—h2鍵、減少o2、n2等雜質(zhì)沾污,利用h2稀釋技術(shù)等制備高質(zhì)量i層;同時優(yōu)化電池結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用多帶隙疊層結(jié)構(gòu);既提高了初始效率又提高了其穩(wěn)定性,目前最好電池的穩(wěn)定效率達(dá)13%。近年來a-si電池的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程令人矚目;1997年以來建成和將于1999年建成的生產(chǎn)能45mw/a。

  非晶體硅太陽能電池按材料不同可分為:多晶硅系薄膜太陽能電池、非晶硅系薄膜太陽能電池、碲化鎘系薄膜太陽能電池、砷化鎵系薄膜太陽能電池、銅銦硒系薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池和染料敏化型太陽能電池等。

  多晶硅薄膜太陽能電池

  通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350-450μm的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料,人們從70年代中期就開始在廉價襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生長的硅膜晶粒大小,未能制成有價值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜,人們一直沒有停止過研究,并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法,包括低壓化學(xué)氣相沉積(lpcvd)和等離子增強化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝。此外,液相外延法(lppe)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池。

  化學(xué)氣相沉積主要是以sih2cl2、sihcl3、sicl4或sih4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上,襯底材料一般選用si、sio2、si3n4等。但研究發(fā)現(xiàn),在非硅襯底上很難形成較大的晶粒,并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題辦法是先用 lpcvd在襯底上沉熾一層較薄的非晶硅層,再將這層非晶硅層退火,得到較大的晶粒,然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜,因此,再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一個環(huán)節(jié),目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜電池除采用了再結(jié)晶工藝外,另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù),這樣制得的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。德國費萊堡太陽能研究所采用區(qū)館再結(jié)晶技術(shù)在fz si襯底上制得的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19%,日本三菱公司用該法制備電池,效率達(dá)16.42%。

  液相外延(lpe)法的原理是通過將硅熔融在母體里,降低溫度析出硅膜。美國astropower公司采用lpe制備的電池效率達(dá)12.2%。中國光電發(fā)展技術(shù)中心的陳哲良采用液相外延法在冶金級硅片上生長出硅晶粒,并設(shè)計了一種類似于晶體硅薄膜太陽能電池的新型太陽能電池,稱之為“硅粒”太陽能電池,但有關(guān)性能方面的報道還未見到。

  非晶硅薄膜太陽能電池

  開發(fā)太陽能電池的兩個關(guān)鍵問題就是:提高轉(zhuǎn)換效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太陽能電池的成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn),普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展,其實早在70年代初,carlson等就已經(jīng)開始了對非晶硅電池的研制工作,近幾年它的研制工作得到了迅速發(fā)展,目前世界上己有許多家公司在生產(chǎn)該種電池產(chǎn)品。

  非晶硅作為太陽能材料盡管是一種很好的電池材料,但由于其光學(xué)帶隙為1.7ev, 使得材料本身對太陽輻射光譜的長波區(qū)域不敏感,這樣一來就限制了非晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。此外,其光電效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減,即所謂的光致衰退s一w效應(yīng),使得電池性能不穩(wěn)定。解決這些問題的這徑就是制備疊層太陽能電池,疊層太陽能電池是由在制備的p、i、n層單結(jié)太陽能電池上再沉積一個或多個p-i-n子電池制得的。疊層太陽能電池提高轉(zhuǎn)換效率、解決單結(jié)電池不穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題在于:

  ①它把不同禁帶寬度的材科組臺在一起,提高了光譜的響應(yīng)范圍;

  ②頂電池的i層較薄,光照產(chǎn)生的電場強度變化不大,保證i層中的光生載流子抽出;

 、鄣纂姵禺a(chǎn)生的載流子約為單電池的一半,光致衰退效應(yīng)減。

 、墀B層太陽能電池各子電池是串聯(lián)在一起的。  非晶硅薄膜太陽能電池的制備方法有很多,其中包括反應(yīng)濺射法、pecvd法、lpcvd法等,反應(yīng)原料氣體為h2稀釋的sih4,襯底主要為玻璃及不銹鋼片,制成的非晶硅薄膜經(jīng)過不同的電池工藝過程可分別制得單結(jié)電池和疊層太陽能電池。目前非晶硅太陽能電池的研究取得兩大進(jìn)展:第一、三疊層結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到13%,創(chuàng)下新的記錄;第二、三疊層太陽能電池年生產(chǎn)能力達(dá)5mw。美國聯(lián)合太陽能公司(vssc)制得的單結(jié)太陽能電池最高轉(zhuǎn)換效率為9.3%,三帶隙三疊層電池最高轉(zhuǎn)換效率為13%。  上述最高轉(zhuǎn)換效率是在小面積(0.25cm2)電池上取得的。曾有文獻(xiàn)報道單結(jié)非晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率超過12.5%,日本中央研究院采用一系列新措施,制得的非晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率為13.2

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