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24AA014/24LC014是串行EEPROM電路嗎?

發(fā)布時(shí)間:2011/7/9 10:52:25 訪問次數(shù):2306

24AA014/24LC014 1kbit I2CTM串行EEPROM電路的基本特性:


1) 低功率CMOS工藝,典型動(dòng)態(tài)工作電流為1mA,典型待機(jī)電流為lμA;
2) l塊128B (1x128x8)組成;
3) 2線串行接口總線,I2CTM兼容;
4) 嵌入施密特觸發(fā)器抑制噪聲;
5) 輸出斜率控制以排除接地反彈;
6) 兼容lOOkHz(24AA01)和400kHz(24LCOIB)時(shí)鐘頻率;
8) 頁面寫入緩沖區(qū)達(dá)到16B;
9) 典型頁面寫入周期為5ms;
10)硬件寫保護(hù)對(duì)所有的存儲(chǔ)器;
11)可以用作一個(gè)串行的ROM工作;
12)ESD靜電保護(hù)>4000V;
13)1000000次的擦/寫操作;
14)數(shù)據(jù)保留>200年;
15)標(biāo)準(zhǔn)和無鉛的覆蓋;
16)可用溫度范圍為- 40—85℃。

                      

24AA014/24LC014 1kbit I2CTM串行EEPROM電路的基本特性:


1) 低功率CMOS工藝,典型動(dòng)態(tài)工作電流為1mA,典型待機(jī)電流為lμA;
2) l塊128B (1x128x8)組成;
3) 2線串行接口總線,I2CTM兼容;
4) 嵌入施密特觸發(fā)器抑制噪聲;
5) 輸出斜率控制以排除接地反彈;
6) 兼容lOOkHz(24AA01)和400kHz(24LCOIB)時(shí)鐘頻率;
8) 頁面寫入緩沖區(qū)達(dá)到16B;
9) 典型頁面寫入周期為5ms;
10)硬件寫保護(hù)對(duì)所有的存儲(chǔ)器;
11)可以用作一個(gè)串行的ROM工作;
12)ESD靜電保護(hù)>4000V;
13)1000000次的擦/寫操作;
14)數(shù)據(jù)保留>200年;
15)標(biāo)準(zhǔn)和無鉛的覆蓋;
16)可用溫度范圍為- 40—85℃。

                      

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