μPD4482161/μPD4482181/μPD4482321/μPD4482361 8Mbit CMOS同步快速SRAM電路的基本特性：

1) 核心電壓V_DD為3.3V或2.5V；
2) 同步操作；
3) 工作溫度T_A為0~700C或- 40~ 85℃；
4) 內(nèi)部自動定時寫控制；
5) 突發(fā)脈沖讀/寫，交錯脈沖和線性的突發(fā)脈沖序列；
6) 所有的寄存器引起正時鐘邊沿；
7) 所有的輸入輸出都滿足3.3V或2.5V的LVTTL兼容；
8) 快速時鐘存取時間，在133MHz時為6.5ns，在117MHz時為7.5ns，在100MHz時為8.5ns；
9) 異步輸出使能引腳G；
10)突發(fā)脈沖序列選擇引腳MODE；
11)睡眠模式zz（開啟或低時正常運(yùn)作）；
12)通用寫使能引腳GW；
13)3個使能引腳，易于擴(kuò)展。