發(fā)射機(jī)電路
發(fā)布時(shí)間:2011/9/23 13:48:04 訪問(wèn)次數(shù):3767
小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)采用MC2833P單片機(jī)集成調(diào)頻發(fā)射電路,具有發(fā)射頻率穩(wěn)定、功耗低、電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),可廣泛小范圍的語(yǔ)音、數(shù)據(jù)等無(wú)線傳輸。
1.小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路原理
MC2833P是美國(guó)Motorola公司生產(chǎn)的單片機(jī)集成調(diào)頻發(fā)射電路,適用于無(wú)繩電話和其他調(diào)頻通信設(shè)備中,該芯片內(nèi)集成有話筒放大器、射頻振蕩器、射頻緩沖器、可變電抗調(diào)制器和兩個(gè)截止頻率達(dá)500MHz的晶體管。MC2833P的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳排列如圖5.11所示。
引腳符號(hào)說(shuō)明:1腳為可變電抗輸出端,2腳為去耦端,3腳為調(diào)制器輸入端,4腳為話筒放大器輸出端,5腳為話筒放大器輸入端,6腳為接地端,7腳為內(nèi)部晶體管VT2的發(fā)射極,8腳為內(nèi)部晶體管VT2的基極,9腳為內(nèi)部晶體管VT2的集電極,10腳為電源端,11腳為內(nèi)部晶體管VT1的集電極,12腳為內(nèi)部晶體管VT,的發(fā)射極,13腳為內(nèi)部晶體管VT1的基極,14腳為射頻振蕩器的緩沖輸出端,15腳為射頻振蕩器外接元件端,16腳為射瀕振蕩器外接元器件端。小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路如圖5.12所示。
在圖5.12電路中,音頻信號(hào)經(jīng)Cl耦合輸入IC1的5腳,由內(nèi)部放大器放大后4腳輸出,R2為內(nèi)部放大器的負(fù)反饋電阻,調(diào)節(jié)R2可改變電壓增益。C4為耦合電容,將音頻信號(hào)送入IC1的3腳,可變電抗調(diào)制器的輸入端;C5為可變電抗調(diào)制器的去耦電容。IC1的1腳和16腳之間的電感L1和晶體JT以及電容C2、C3構(gòu)成了克拉潑振蕩電路,產(chǎn)生30MHz的載波信號(hào),調(diào)制后的30MHz的載波信號(hào)經(jīng)緩沖放大,由IC1的14腳輸出。已調(diào)載波信號(hào)經(jīng)C8耦合IC1內(nèi)部VT1、VT2兩個(gè)晶體管組成的兩級(jí)倍頻放大器,IC1的肉部晶體管VT1、L2和C9組成調(diào)諧選頻放大器,選出3倍于30MHz的已調(diào)載波信號(hào),即90MHz的已調(diào)載波信號(hào)。IC1的內(nèi)部晶體管VT2、L3和Cll組成二次倍頻調(diào)諧放大器,即輸出90MHz的已調(diào)載波信號(hào)。Cl0和C12為級(jí)間耦合電容。晶體管VT3、L4和C13組成高頻率調(diào)諧丙類(lèi)窄帶功率放大器,對(duì)90MHz的已調(diào)載波信號(hào)再進(jìn)一步射頻功率放大,經(jīng)C14耦合到發(fā)射天線向周?chē)臻g輻射。
為進(jìn)一步防止射頻干擾,穩(wěn)定輸出頻率,提高輸出功率,末級(jí)功率放大采用12V供電,三端集成穩(wěn)壓器IC2提供給IC1集成電路6V電源。C15~C18為電源退耦濾波電容,C6、C7為IC1的內(nèi)部晶體管VT1、VT2的射極旁路電容。
2.安裝與調(diào)試 MAX191BCNG
元器件選擇方法:為減小噪聲所有電阻選用金屬膜電阻,Cl、C4為電解電容,其余均為高頻瓷介電容;電感L2、L3可在Φ6.Omm塑料骨架上用Φ0.31mm的漆包線繞11匝,4匝處抽頭,然后放入MX4高頻磁芯,電感L4用Φ0.51mm的漆包線在Φ5.Omm的圓棒上繞6匝中心抽頭脫胎而成。天線可采用雙層十字型全方向天線,以增加覆蓋范圍,并用75-5優(yōu)質(zhì)同軸電纜引至本機(jī)的射頻輸出端。
元囂件焊接裝配時(shí)引腳應(yīng)盡量短,以減少分布電容的影響。所有元器件裝配完成后,并檢查無(wú)誤就可以進(jìn)行調(diào)試。調(diào)試電路時(shí),應(yīng)在射頻輸出端接入75Ω高頻假負(fù)載電阻,以防空載時(shí)損壞射頻功率管VT3。首先,斷開(kāi)耦合電容C8,分別通過(guò)調(diào)整R7和R8的阻值,使IC1內(nèi)部?jī)蓚(gè)晶體管VT1、VT2的集電極靜態(tài)電流分別為1mA、2~4mA。接通耦合電容C8,用高頻毫伏表和數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試IC1的14腳射頻輸出端,其輸出電壓約為lOOmV,頻率為30MHz;用數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試IC1的8腳VT2基極時(shí),用無(wú)感小改錐調(diào)整電感L2磁芯使數(shù)字頻率計(jì)顯示數(shù)值為“90.OOMHz”即完成了3倍頻電路的調(diào)試。用數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試VT3基極,調(diào)整L4的磁芯使數(shù)字頻率計(jì)顯示數(shù)值為“90.OOMHz”即完成了倍頻電路的調(diào)試。去掉75Ω高頻假負(fù)載電阻接入天線,用無(wú)感扁平小改錐撥動(dòng)L4的匝距,使末級(jí)功放輸出最大,即完成了對(duì)電路的調(diào)試。
小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路元器件清單如表5.9所示。
http://pengruixin111.51dzw.com
小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)采用MC2833P單片機(jī)集成調(diào)頻發(fā)射電路,具有發(fā)射頻率穩(wěn)定、功耗低、電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),可廣泛小范圍的語(yǔ)音、數(shù)據(jù)等無(wú)線傳輸。
1.小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路原理
MC2833P是美國(guó)Motorola公司生產(chǎn)的單片機(jī)集成調(diào)頻發(fā)射電路,適用于無(wú)繩電話和其他調(diào)頻通信設(shè)備中,該芯片內(nèi)集成有話筒放大器、射頻振蕩器、射頻緩沖器、可變電抗調(diào)制器和兩個(gè)截止頻率達(dá)500MHz的晶體管。MC2833P的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳排列如圖5.11所示。
引腳符號(hào)說(shuō)明:1腳為可變電抗輸出端,2腳為去耦端,3腳為調(diào)制器輸入端,4腳為話筒放大器輸出端,5腳為話筒放大器輸入端,6腳為接地端,7腳為內(nèi)部晶體管VT2的發(fā)射極,8腳為內(nèi)部晶體管VT2的基極,9腳為內(nèi)部晶體管VT2的集電極,10腳為電源端,11腳為內(nèi)部晶體管VT1的集電極,12腳為內(nèi)部晶體管VT,的發(fā)射極,13腳為內(nèi)部晶體管VT1的基極,14腳為射頻振蕩器的緩沖輸出端,15腳為射頻振蕩器外接元件端,16腳為射瀕振蕩器外接元器件端。小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路如圖5.12所示。
在圖5.12電路中,音頻信號(hào)經(jīng)Cl耦合輸入IC1的5腳,由內(nèi)部放大器放大后4腳輸出,R2為內(nèi)部放大器的負(fù)反饋電阻,調(diào)節(jié)R2可改變電壓增益。C4為耦合電容,將音頻信號(hào)送入IC1的3腳,可變電抗調(diào)制器的輸入端;C5為可變電抗調(diào)制器的去耦電容。IC1的1腳和16腳之間的電感L1和晶體JT以及電容C2、C3構(gòu)成了克拉潑振蕩電路,產(chǎn)生30MHz的載波信號(hào),調(diào)制后的30MHz的載波信號(hào)經(jīng)緩沖放大,由IC1的14腳輸出。已調(diào)載波信號(hào)經(jīng)C8耦合IC1內(nèi)部VT1、VT2兩個(gè)晶體管組成的兩級(jí)倍頻放大器,IC1的肉部晶體管VT1、L2和C9組成調(diào)諧選頻放大器,選出3倍于30MHz的已調(diào)載波信號(hào),即90MHz的已調(diào)載波信號(hào)。IC1的內(nèi)部晶體管VT2、L3和Cll組成二次倍頻調(diào)諧放大器,即輸出90MHz的已調(diào)載波信號(hào)。Cl0和C12為級(jí)間耦合電容。晶體管VT3、L4和C13組成高頻率調(diào)諧丙類(lèi)窄帶功率放大器,對(duì)90MHz的已調(diào)載波信號(hào)再進(jìn)一步射頻功率放大,經(jīng)C14耦合到發(fā)射天線向周?chē)臻g輻射。
為進(jìn)一步防止射頻干擾,穩(wěn)定輸出頻率,提高輸出功率,末級(jí)功率放大采用12V供電,三端集成穩(wěn)壓器IC2提供給IC1集成電路6V電源。C15~C18為電源退耦濾波電容,C6、C7為IC1的內(nèi)部晶體管VT1、VT2的射極旁路電容。
2.安裝與調(diào)試 MAX191BCNG
元器件選擇方法:為減小噪聲所有電阻選用金屬膜電阻,Cl、C4為電解電容,其余均為高頻瓷介電容;電感L2、L3可在Φ6.Omm塑料骨架上用Φ0.31mm的漆包線繞11匝,4匝處抽頭,然后放入MX4高頻磁芯,電感L4用Φ0.51mm的漆包線在Φ5.Omm的圓棒上繞6匝中心抽頭脫胎而成。天線可采用雙層十字型全方向天線,以增加覆蓋范圍,并用75-5優(yōu)質(zhì)同軸電纜引至本機(jī)的射頻輸出端。
元囂件焊接裝配時(shí)引腳應(yīng)盡量短,以減少分布電容的影響。所有元器件裝配完成后,并檢查無(wú)誤就可以進(jìn)行調(diào)試。調(diào)試電路時(shí),應(yīng)在射頻輸出端接入75Ω高頻假負(fù)載電阻,以防空載時(shí)損壞射頻功率管VT3。首先,斷開(kāi)耦合電容C8,分別通過(guò)調(diào)整R7和R8的阻值,使IC1內(nèi)部?jī)蓚(gè)晶體管VT1、VT2的集電極靜態(tài)電流分別為1mA、2~4mA。接通耦合電容C8,用高頻毫伏表和數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試IC1的14腳射頻輸出端,其輸出電壓約為lOOmV,頻率為30MHz;用數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試IC1的8腳VT2基極時(shí),用無(wú)感小改錐調(diào)整電感L2磁芯使數(shù)字頻率計(jì)顯示數(shù)值為“90.OOMHz”即完成了3倍頻電路的調(diào)試。用數(shù)字頻率計(jì)的測(cè)試VT3基極,調(diào)整L4的磁芯使數(shù)字頻率計(jì)顯示數(shù)值為“90.OOMHz”即完成了倍頻電路的調(diào)試。去掉75Ω高頻假負(fù)載電阻接入天線,用無(wú)感扁平小改錐撥動(dòng)L4的匝距,使末級(jí)功放輸出最大,即完成了對(duì)電路的調(diào)試。
小功率調(diào)頻發(fā)射機(jī)電路元器件清單如表5.9所示。
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