1．電路設(shè)計及EMC器件選擇

    在新設(shè)計及開發(fā)項目的開始，正確選擇有源與無源器件及完善的電路設(shè)計技術(shù)，將有利于以最低的成本獲得EMC認證，減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號的完整性及模擬信號信噪比，可以減少重復使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達到其功能技術(shù)要求，盡早投入市場。這些EMC技術(shù)應(yīng)視為公司竟爭優(yōu)勢的一部分，有助于使企業(yè)獲得最大的商業(yè)利益。
  
      1.1數(shù)字器件與EMC電路設(shè)計

      1.1.1器件的選擇
    大部分數(shù)字IC生產(chǎn)商都至少能生產(chǎn)某一系列輻射較低的器件，同時也能生產(chǎn)幾種抗ESD的I/O芯片，有些廠商供應(yīng)EMC性能良好的VLSI（有些EMC微處理器比普通產(chǎn)品的輻射低40dB）；大多數(shù)數(shù)字電路采用方波信號同步，這將產(chǎn)生高次諧波分量，如圖1示。時鐘速率越高，邊沿越陡，頻率和諧波的發(fā)射能力也越高。 因此，在滿足產(chǎn)品技術(shù)指標的前提下，盡量選擇低速時鐘。在HC能用時絕不要使用AC，CMOS4000能行就不要用HC。要選擇集成度高并有EMC特性的集成電路，比如：
    * 電源及地的引腳較近
    * 多個電源及地線引腳
    * 輸出電壓波動性小
    * 可控開關(guān)速率
    * 與傳輸線匹配的I/O電路
    * 差動信號傳輸
    * 地線反射較低
    * 對ESD及其他干擾現(xiàn)象的抗擾性
    * 輸入電容小
    * 輸出級驅(qū)動能力不超過實際應(yīng)用的要求
    * 電源瞬態(tài)電流低（有時也稱穿透電流）
    這些參數(shù)的最大、最小值應(yīng)由其生產(chǎn)商一一指明。由不同廠家生產(chǎn)的具有相同型號及指標的器件可能有顯著不同的EMC特性，這一點對于確保陸續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品具有穩(wěn)定的電磁兼容符合性是很重要的。
    高技術(shù)集成電路的生產(chǎn)商可以提供詳盡的EMC設(shè)計說明，比如Intel的奔騰MMX芯片就是這樣。設(shè)計人員要了解這些并嚴格按要求去做。詳盡的EMC設(shè)計建議表明：生產(chǎn)商關(guān)心的是用戶的真正需求，這在選擇器件時是必須考慮的因素。在早期設(shè)計階段，如果IC的EMC特性不清楚，可以通過一簡單功能電路（至少時鐘電路要工作）進行各種EMC測試，同時要盡量在高速數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)完成操作。發(fā)射測試可方便地在一標準測試臺上進行，將近場磁場探頭連接到頻譜分析儀（或?qū)拵静ㄆ鳎┥�，有些器件明顯地比其他一些器件噪聲小得多，測試抗擾度時可采用同樣的探頭，并連到信號發(fā)生器的輸出端（連續(xù)射頻或瞬態(tài)）。但如果探頭是儀器專配的（不只是簡單的短路環(huán)或?qū)Ь�），首先要檢查其功率承受能力是否滿足要求。測試時近場探頭需貼近器件或PCB板，為了定位“關(guān)鍵探測點”和最大化探頭方向 ， 應(yīng)首先在整個區(qū)域進行水平及垂直掃描（使探頭在各個方向相互垂直），然后在信號最強的區(qū)域集中進行掃描。
              
    圖1 上升/下降時間為1ns的理想60MHz方波的頻譜

    1.1.2 不宜采用IC 座

    IC座對EMC 很不利，建議直接在PCB上焊接表貼芯片，具有較短引線和體積較小的IC芯片則更好， BGA及類似芯片封裝的IC在目前是最好的選擇。安裝在座（更糟的是，插座本身有電池）上的可編程只讀存儲器（PROM）的發(fā)射及敏感特性經(jīng)常會使一個本來良好的設(shè)計變壞。因此，應(yīng)該采用直接焊接到電路板上的表貼可編程儲存器。
    帶有ZIF座和在處理器（能方便升級）上用彈簧安裝散熱片的母板，需要額外的濾波和屏蔽，即使如此，選擇內(nèi)部引線最短的表貼ZIF 座也是有好處的。

     1.1.3電路技術(shù)
    * 對輸入和按鍵采用電平檢測（而非邊沿檢測）
    * 使用前沿速率盡可能慢且平滑的數(shù)字信號（不超過失真極限）
    * 在PCB樣板上，允許對信號邊沿速度或帶寬進行控制（例如，在驅(qū)動端使用軟鐵氧體磁珠或串聯(lián)電阻）
    * 降低負載電容，以使靠近輸出端的集電極開路驅(qū)動器便于上拉，電阻值盡量大
    * 處理器散熱片與芯片之間通過導熱材料隔離，并在處理器周圍多點射頻接地。
    * 電源的高質(zhì)量射頻旁路（解耦）在每個電源管腳都是