Ｃ３Ｄ（ＣＭＯＳ Ｃｏｌｏｒ ＣａｐｔｉｖｅＤｅｖｉｃｅ）是新一代半導(dǎo)體成像技術(shù)。它不僅提高了像素設(shè)計技術(shù)，也改進了生產(chǎn)工藝。采用這種技術(shù)生產(chǎn)的0.25μｍ ＣＭＯＳ圖像傳感器,可以在保全性能的前提下增加晶體管的數(shù)量和占空因數(shù)（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）。除了增加像素設(shè)計的選擇方案之外，還可實現(xiàn)更加復(fù)雜的功能和更低的功耗。而且，該傳感器在速度方面也有很大優(yōu)勢。

    對于設(shè)計人員而言，為了最大限度地提高產(chǎn)品質(zhì)量，設(shè)計時做出合適的權(quán)衡取舍是至關(guān)重要的。就圖像傳感器而言，量子效率是非常重要的，但暗電流和串?dāng)_（ｃｒｏｓｓ－ｔａｌｋ）同樣不可忽視。雖說縮短硅芯片的壽命能夠減少串?dāng)_，但量子效率也會隨之下降。

    ＣＭＯＳ圖像傳感器要對付的難題之一就是暗電流。迄今為止，ＣＭＯＳ成像器均采用較大的像素尺寸，工作速度較低，因此，即使暗電流的發(fā)生率在正常范圍，仍會產(chǎn)生較多的暗電流。為此，Ｃ３Ｄ技術(shù)采取了以下對策：首先，通過改進ＣＭＯＳ工藝來降低暗電流的發(fā)生率；其次，壓縮結(jié)面積（ＪｕｎｃｔｉｏｎＡｒｅａ）；最后，通過提高幀速率（Ｆｒａｍｅ Ｒａｔｅ）來縮短暗電流的匯集時間。

    像素尺寸縮小后，像素間的串?dāng)_便會增加。這雖然對于黑白（單色）器件而言影響并不明顯，但加上濾色器（ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅｒ）之后就會出現(xiàn)混色現(xiàn)象，造成圖像處理時的分色困難，從而產(chǎn)生褪色。為了減少像素間的串?dāng)_，人們往往采用延長硅的載流子的壽命以及改進硅加工工藝的方法。延長載流子的壽命固然會提高量子效率，但由于電荷擴散，也會使串?dāng)_增加。為此，Ｃ３Ｄ技術(shù)采用了有助于減少像素間串?dāng)_的特殊設(shè)計并對工藝做了改進。

    目前的ＣＭＯＳ圖像傳感器也存在著固定圖像噪聲的問題，這是由傳感器固有結(jié)構(gòu)造成的。各個像素或各列像素都具有自己的放大器，放大器中較小的失配會使與其有關(guān)的增益及偏置發(fā)生變化。結(jié)果產(chǎn)生固定圖像噪聲，用戶可在圖像上看到網(wǎng)格狀干擾。針對這一問題，Ｃ３Ｄ技術(shù)采用了對各種變化的靈敏度相對較低的放大器，以及制造更加穩(wěn)定的晶體管專用工藝等方法。同時還設(shè)計出了能夠進一步減少失調(diào)的獨特電路。Ｃ３Ｄ的核心技術(shù)對上述的ＣＭＯＳ圖像傳感器所存在的固定圖像噪聲、像素間的串?dāng)_以及暗電流等缺陷均有所改善。而且，它還降低了對支持芯片的依賴程度。有望提供完全沒有諸如輸出頻率限制、高功耗、高讀出噪聲等ＣＣＤ局限性的數(shù)字成像產(chǎn)品。
    Ｃ３Ｄ技術(shù)的最大特點就是像素反應(yīng)的均一性。Ｃ３Ｄ技術(shù)重新定義了成像器的性能（即把系統(tǒng)的整體性能包括在內(nèi)）并提高了ＣＭＯＳ圖像傳感器在均一性和暗電流方面的標(biāo)準(zhǔn)性能。因而，除了畫質(zhì)以外，設(shè)計人員還必須通過對功耗、幀速率、可編程增益和集成的設(shè)定、芯片上的開窗口（ｗｉｎｄｏｗｉｎｇ）／二次取樣方式、定時信號發(fā)生器、ＤＣ偏置的功能集成、電平移位器等全面考慮來減少所需芯片的數(shù)量，從而達(dá)到簡化系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)的目的。而Ｃ３Ｄ技術(shù)由于是針對具體應(yīng)用來設(shè)計成像器的，因此，系統(tǒng)設(shè)計人員可借助它來完成片上功能集成并根據(jù)現(xiàn)有的系統(tǒng)參數(shù)進行設(shè)計，以提高系統(tǒng)的整體性能，使之獲得３１７萬像素的分辨率。采用Ｃ３Ｄ技術(shù)的另一個設(shè)計上的好處是利用了片上集成陣列的處理能力，由此可大幅度地減少后續(xù)的圖像處理量。