- 綜合電路仿真2014/11/15 11:50:18 2014/11/15 11:50:18
- 綜合電路如圖15-3所示，其中K模KBP201塊和Power模塊分別為熱電偶及熱電偶補(bǔ)償子電路與直流穩(wěn)壓源子電路模塊。主放大電路的分析方法在第6章中已詳細(xì)介紹，這里不再重復(fù)。下面主要對(duì)各子電路模...[全文]
- 放置Multisim Design VI2014/11/15 11:33:47 2014/11/15 11:33:47
- MultisimDesignⅥ是用KBJ604于管理LabVIEW和Multi-sim仿真引擎之間通信的。單擊鼠標(biāo)右鍵，打開(kāi)函數(shù)選板，瀏覽到“ControlDesig...[全文]
- 采用阻容調(diào)零法的電橋電路2014/11/13 20:53:13 2014/11/13 20:53:13
- 在圖13-5中，Rwi為調(diào)零電位器，用來(lái)調(diào)節(jié)電橋平衡。由于被測(cè)應(yīng)變片的性能差異及引線(xiàn)的分布電容的容抗等原因，會(huì)影響電橋的初始平衡條件和輸出特性，MBR1050CT因此必須對(duì)電橋預(yù)調(diào)平衡，圖中用了...[全文]
- 執(zhí)行菜單命令2014/11/13 20:39:19 2014/11/13 20:39:19
- 在工程樹(shù)中MyComputer/lnstrumentTemplate/StarterInputInstrument.vit目錄下用鼠標(biāo)右鍵單擊并選擇“Open”，其打開(kāi)后的窗口如圖12-18所示...[全文]
- “Update Data”子選框2014/11/13 20:30:50 2014/11/13 20:30:50
- 這里只介紹在CaseStructure中的3個(gè)常用的選框中進(jìn)行設(shè)計(jì)的方法。UpdateData:該選框如圖12-11所示，它要完成MB1510W的主要工作是調(diào)用已經(jīng)設(shè)計(jì)好的子VI，...[全文]
- LabVIEW的特點(diǎn)如下所述2014/11/12 12:48:05 2014/11/12 12:48:05
- 作為虛擬儀器的開(kāi)發(fā)軟件，LabVIEW的特點(diǎn)如下所述。@具有圖形化的編程方式，AT91SAM7X512-AU設(shè)計(jì)者無(wú)須編寫(xiě)任何文本格式的代碼，是真正的工程師語(yǔ)言。@提...[全文]
- 從誤差根源上消除系統(tǒng)誤差系統(tǒng)誤差2014/11/12 12:30:38 2014/11/12 12:30:38
- 從誤差根源上消除系統(tǒng)誤差系統(tǒng)誤差是在一定的測(cè)量條件下，測(cè)量值中含有固定不變或按一定規(guī)律變化的誤差。AT90CAN128-16AU系統(tǒng)誤差不具有抵償性，重復(fù)測(cè)量也難以發(fā)現(xiàn)，在工程測(cè)量中應(yīng)特別注意該...[全文]
- 氯化鋰濕敏電阻2014/11/11 12:20:14 2014/11/11 12:20:14
- 1．氯化鋰濕敏電阻氯化鋰濕敏電阻是利周吸濕性鹽類(lèi)潮解，RHRP30120離子導(dǎo)電率發(fā)生變化的原理而制成的測(cè)濕元件。該元件的結(jié)構(gòu)如圖10-3所示，它由引線(xiàn)、基片、感濕層與金屬電極組成...[全文]
- 電路的調(diào)整方法如下所述2014/11/9 18:31:57 2014/11/9 18:31:57
- 圖8-35所示電路的調(diào)整方法如下所述。①斷開(kāi)a處連接，輸入=550p.A。用電位器VR,調(diào)整使輸出電壓=5V（在沒(méi)有電流源的情況下，可以將電阻連接到a處，使之接到電壓源上）。...[全文]
- CCD的信號(hào)是電荷2014/11/9 18:21:27 2014/11/9 18:21:27
- CCD的信號(hào)是電荷，那么信ADS7846號(hào)電荷是怎樣產(chǎn)生的呢？CCD的信號(hào)電荷的產(chǎn)生有兩種方式，即光信號(hào)注入和電信號(hào)注入。CCD用做固態(tài)圖像傳感器時(shí)，接收的是光信號(hào)，即光信號(hào)注入法。當(dāng)光信號(hào)照射...[全文]
- 恒電壓工作有式下TRRA102B鉑熱電阻的基本測(cè)量電路2014/11/7 20:07:58 2014/11/7 20:07:58
- 恒電壓工作有式下TRRA102B鉑熱電阻的基本測(cè)量電路(1)基本電路：HER104恒電壓工作有式下TRRA102B鉑熱電阻的基本測(cè)量電路恒電壓工作電路是鉑熱電阻實(shí)用電路中除恒電流工...[全文]
- 薄膜熱電偶2014/11/6 21:54:11 2014/11/6 21:54:11
- 薄膜熱電偶薄膜熱電偶是由兩種薄膜熱電極材料，用真空蒸鍍、AO4407化學(xué)涂層等辦法蒸鍍到絕緣基板上而制成的一種特殊熱電偶。薄膜熱電偶的熱接點(diǎn)可以做得很�。ǹ杀〉�0.01~0.lym）。這種熱電偶...[全文]
- 磁敏電阻器2014/11/6 21:10:27 2014/11/6 21:10:27
- 磁敏電阻器是基于磁阻效應(yīng)的磁敏元件，ADUM1250ARZ它是磁阻位移傳感器、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等的核心部件。磁阻效應(yīng)當(dāng)一個(gè)載流導(dǎo)體置于磁場(chǎng)中時(shí)，其電阻值會(huì)隨磁場(chǎng)變化而變化，...[全文]
- 變磁通式磁電傳感器結(jié)構(gòu)圖2014/11/5 20:45:49 2014/11/5 20:45:49
- 圖6一l(b)所示為閉磁路變磁通式磁電傳感器，ADM213EARS它由裝在轉(zhuǎn)軸上的內(nèi)齒輪和外齒輪、永磁鐵和感應(yīng)線(xiàn)圈等組成，內(nèi)、外齒輪齒數(shù)相同。當(dāng)轉(zhuǎn)軸聯(lián)接到被測(cè)轉(zhuǎn)軸上時(shí)，外齒輪不動(dòng)，內(nèi)齒輪隨被測(cè)轉(zhuǎn)...[全文]
- 基于PVDF壓電膜傳感器的脈像儀2014/11/5 20:40:20 2014/11/5 20:40:20
- 由于PDVF（聚偏氟乙烯）壓電薄膜具有變力響應(yīng)靈敏度高，柔韌易于制備，可緊貼皮膚等特點(diǎn)，ADM202EARN因此可用人手指端大小的壓電膜制成可感應(yīng)人體脈搏壓力波變化的脈搏傳感器。脈像儀的硬件組成...[全文]
- KP100A本身的輸出特性2014/11/3 19:34:16 2014/11/3 19:34:16
- 圖2-17所示的是KP100A本身的輸出特性。由圖2-17中可以看出，在1個(gè)大氣壓時(shí)，OPA4348AIPWR包含不平衡電壓在內(nèi)的輸出電壓為79mV在完全真空時(shí)，輸出電壓應(yīng)為OV。但是，實(shí)際上由...[全文]
- 定義雙頻網(wǎng)切換關(guān)系要注意2014/10/31 19:58:57 2014/10/31 19:58:57
- 這里有一點(diǎn)需要注意，雙頻手機(jī)KA5L0380RYDTU會(huì)測(cè)量來(lái)自900和1800相鄰小區(qū)的信號(hào)強(qiáng)度，但是每次能夠通過(guò)測(cè)量報(bào)告上報(bào)的鄰區(qū)數(shù)量只有6個(gè)，開(kāi)啟了HCS功能后，最優(yōu)先合適的小區(qū)可能并不能...[全文]
- 改善無(wú)線(xiàn)環(huán)境2014/10/31 19:52:07 2014/10/31 19:52:07
- ①改善無(wú)線(xiàn)環(huán)境：減少了某一頻段的BCCH，一些在原BCCH上應(yīng)用受到限制的功能可以實(shí)現(xiàn)，K6X1008C2D-GF55如下行動(dòng)態(tài)功率控制、不連續(xù)發(fā)射、跳頻等，改善了無(wú)線(xiàn)環(huán)境的干擾。...[全文]
- 根據(jù)以上討論的情況,可把CsMA/CA算法歸納2014/10/29 20:18:07 2014/10/29 20:18:07
- 根據(jù)以上討論的情況,可把CsMA/CA算法歸納如下:(1)若站點(diǎn)最初有數(shù)據(jù)要發(fā)送(而不是發(fā)送不成功再進(jìn)行重傳),且檢測(cè)到信道空閑,在等待時(shí)間DIFs后,就發(fā)送整個(gè)數(shù)據(jù)幀。...[全文]
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 數(shù)據(jù)在網(wǎng)絡(luò)中經(jīng)歷的總時(shí)延就是以上四種時(shí)延
- 網(wǎng)絡(luò)中的時(shí)延是由以下幾個(gè)不同的部分組成的
- 字節(jié)填充
- 采用阻容調(diào)零法的電橋電路
- 每一個(gè)IP地址都由網(wǎng)絡(luò)號(hào)和主機(jī)號(hào)兩部分組
- 吉比特以太網(wǎng)的配置舉例
- 下面介紹強(qiáng)化碰撞的概念
- 電鍍鎳／金(Electroless Ni
- 用移位寄存器和數(shù)據(jù)選擇器設(shè)計(jì)序列發(fā)生器
- 變磁通式磁電傳感器結(jié)構(gòu)圖
IC型號(hào)推薦
- MT58L128L32PIT75A
- MT58L128L36D1T-10
- MT58L128L36D1T-6
- MT58L128L36F-10A
- MT58L128L36F1-10A
- MT58L128L36F1B-8.5IT
- MT58L128L36F1T-10
- MT58L128L36F1T-7.5
- MT58L128L36F1T-8.5
- MT58L128L36F1T-8.5A
- MT58L128L36F1T-8.5C
- MT58L128L36F1T-8.5IT
- MT58L128L36FI
- MT58L128L36FIT-8.5A
- MT58L128L36FT
- MT58L128L36FT-10
- MT58L128L36FT-10A
- MT58L128L36P1
- MT58L128L36P1-10A
- MT58L128L36P15B
- MT58L128L36P16B
- MT58L128L36P1-6CA
- MT58L128L36P1-7.5A
- MT58L128L36P1F5
- MT58L128L36P1F-5
- MT58L128L36P1T
- MT58L128L36P1T-10
- MT58L128L36P1T-10A
- MT58L128L36P1T-4.4
- MT58L128L36P1T-6
公網(wǎng)安備44030402000607
