綜合電路仿真
發(fā)布時(shí)間:2014/11/15 11:50:18 訪問(wèn)次數(shù):540
綜合電路如圖15 -3所示,其中K模KBP201塊和Power模塊分別為熱電偶及熱電偶補(bǔ)償子電路與直流穩(wěn)壓源子電路模塊。主放大電路的分析方法在第6章中已詳細(xì)介紹,這里不再重復(fù)。下面主要對(duì)各子電路模塊進(jìn)行仿真分析。
熱電偶及熱電偶補(bǔ)償子電路分析在圖15 -2所示的電橋補(bǔ)償電路中,對(duì)2N2222型晶體管進(jìn)行溫度參數(shù)掃描分析,掃描參數(shù)設(shè)為temp(溫度),從0~3℃每隔loC掃描一個(gè)值。輸出電壓值為晶體管的集電極與發(fā)射極電壓之差,掃描的分析是瞬態(tài)分析。分析的結(jié)果如圖15 -5所示。由圖可見(jiàn),溫度每增加1℃,晶體管兩端電壓下降約2mV。
補(bǔ)償電橋電路應(yīng)預(yù)先調(diào)零,調(diào)零的方法是首先雙擊晶體管,打開如圖15 -6所示的屬性設(shè)置對(duì)話框,單擊“Edit Model”按鈕,打開元件模型編輯窗口,如圖15 -7所示,將參教測(cè)量溫度設(shè)為OoC,然后調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器Rw,使電橋的兩個(gè)輸出端1、2與/02之間的電壓近似為0。當(dāng)自由端溫度(即環(huán)境溫度)為25℃時(shí),將模擬環(huán)境溫度的vl的值設(shè)為25V,將晶體管的參數(shù)測(cè)量溫度設(shè)為25℃,然后對(duì)電路進(jìn)行參數(shù)掃描分析,其設(shè)置如圖15-8 (a)
所示,選擇模擬溫度變化的電壓源作為掃描對(duì)象,在0 N100V的范圍內(nèi),每隔10V掃描一次,設(shè)置掃描直流工作點(diǎn),輸出變量選擇子電路的兩個(gè)輸出端之差,如圖15-8 (b)所示。掃描結(jié)果如圖15 -9所示,將該仿真數(shù)據(jù)與表15 -1所示的K型熱電偶分度表進(jìn)行比較可知,經(jīng)補(bǔ)償后,表15一l中所列的各溫度下子電路總的輸出電壓和分度表中的值基本相符。
綜合電路如圖15 -3所示,其中K模KBP201塊和Power模塊分別為熱電偶及熱電偶補(bǔ)償子電路與直流穩(wěn)壓源子電路模塊。主放大電路的分析方法在第6章中已詳細(xì)介紹,這里不再重復(fù)。下面主要對(duì)各子電路模塊進(jìn)行仿真分析。
熱電偶及熱電偶補(bǔ)償子電路分析在圖15 -2所示的電橋補(bǔ)償電路中,對(duì)2N2222型晶體管進(jìn)行溫度參數(shù)掃描分析,掃描參數(shù)設(shè)為temp(溫度),從0~3℃每隔loC掃描一個(gè)值。輸出電壓值為晶體管的集電極與發(fā)射極電壓之差,掃描的分析是瞬態(tài)分析。分析的結(jié)果如圖15 -5所示。由圖可見(jiàn),溫度每增加1℃,晶體管兩端電壓下降約2mV。
補(bǔ)償電橋電路應(yīng)預(yù)先調(diào)零,調(diào)零的方法是首先雙擊晶體管,打開如圖15 -6所示的屬性設(shè)置對(duì)話框,單擊“Edit Model”按鈕,打開元件模型編輯窗口,如圖15 -7所示,將參教測(cè)量溫度設(shè)為OoC,然后調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器Rw,使電橋的兩個(gè)輸出端1、2與/02之間的電壓近似為0。當(dāng)自由端溫度(即環(huán)境溫度)為25℃時(shí),將模擬環(huán)境溫度的vl的值設(shè)為25V,將晶體管的參數(shù)測(cè)量溫度設(shè)為25℃,然后對(duì)電路進(jìn)行參數(shù)掃描分析,其設(shè)置如圖15-8 (a)
所示,選擇模擬溫度變化的電壓源作為掃描對(duì)象,在0 N100V的范圍內(nèi),每隔10V掃描一次,設(shè)置掃描直流工作點(diǎn),輸出變量選擇子電路的兩個(gè)輸出端之差,如圖15-8 (b)所示。掃描結(jié)果如圖15 -9所示,將該仿真數(shù)據(jù)與表15 -1所示的K型熱電偶分度表進(jìn)行比較可知,經(jīng)補(bǔ)償后,表15一l中所列的各溫度下子電路總的輸出電壓和分度表中的值基本相符。
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