IRFU9310詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:400V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:TO-251AA
- 包裝:管件
IRFU9310PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:400V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.8A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 歐姆 @ 1.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:TO-251AA
- 包裝:管件
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201(0603 公制) CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
- 配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK