IRLZ24詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRLZ24L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRLZ24LPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRLZ24NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ24NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ24NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCT HI CURR 3.0NH 0402 SMD
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Intersil EVALUATION BOARD HIP4080/4081
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 28-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 28-TQFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCT HI CURR 3.3NH 0402 SMD
- 評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 1 FOR ISL6236
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 130PS R/A .100 SLD
- 固定式 AVX Corporation 0402（1005 公制） INDUCT HI CURR 6.8NH 2% 0402 SMD
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC QUAD OUT POWER CONTROL 32-QFN
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 20-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRIVER FET FULL BRIDGE 20DIP
18820154873 
