壓電式力傳感器實(shí)驗(yàn)電路
發(fā)布時(shí)間:2015/3/11 20:58:17 訪問次數(shù):1381
圖3 -25所示是采用壓電陶瓷制作的壓電傳感器開關(guān)實(shí)驗(yàn)電路。VT采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管3DJ6H,SP采用壓電陶瓷片(晶振),VD,和VD:MI4410選用硅開關(guān)的二極管IN4148。接通電源時(shí),電容器C極板兩端電壓為零,與之相連的場(chǎng)效應(yīng)管控制柵板極G的偏電壓為零。這時(shí)VT導(dǎo)通,其漏源電流使紅色發(fā)光二極管發(fā)光。當(dāng)用小的物體,例如火柴桿從lOcm高度自由下落砸到壓電陶瓷片上時(shí),SP產(chǎn)生負(fù)向脈沖電壓,通過二極管VD,向電容器C充電,VT的控制柵極加上負(fù)偏壓,并超過3 DJ6H所需要的夾斷電壓-9V,這時(shí)VT截止,紅色發(fā)光二極管滅掉。二極管VD:旁路SP在碰撞結(jié)束后,隨著電容器C上的電壓白于元器件漏電而逐漸降低,小于夾斷電壓(絕對(duì)值),VT處于導(dǎo)通狀態(tài),產(chǎn)生漏源電流,紅色發(fā)光二極管逐漸亮,最終電路恢復(fù)到初始狀態(tài)。
圖3 -25壓電式力傳感器實(shí)驗(yàn)電路
圖3 -25所示是采用壓電陶瓷制作的壓電傳感器開關(guān)實(shí)驗(yàn)電路。VT采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管3DJ6H,SP采用壓電陶瓷片(晶振),VD,和VD:MI4410選用硅開關(guān)的二極管IN4148。接通電源時(shí),電容器C極板兩端電壓為零,與之相連的場(chǎng)效應(yīng)管控制柵板極G的偏電壓為零。這時(shí)VT導(dǎo)通,其漏源電流使紅色發(fā)光二極管發(fā)光。當(dāng)用小的物體,例如火柴桿從lOcm高度自由下落砸到壓電陶瓷片上時(shí),SP產(chǎn)生負(fù)向脈沖電壓,通過二極管VD,向電容器C充電,VT的控制柵極加上負(fù)偏壓,并超過3 DJ6H所需要的夾斷電壓-9V,這時(shí)VT截止,紅色發(fā)光二極管滅掉。二極管VD:旁路SP在碰撞結(jié)束后,隨著電容器C上的電壓白于元器件漏電而逐漸降低,小于夾斷電壓(絕對(duì)值),VT處于導(dǎo)通狀態(tài),產(chǎn)生漏源電流,紅色發(fā)光二極管逐漸亮,最終電路恢復(fù)到初始狀態(tài)。
圖3 -25壓電式力傳感器實(shí)驗(yàn)電路
熱門點(diǎn)擊
- 將應(yīng)變片接成全橋電路
- allowedMeasBandwidth:最
- RRC連接重建比例
- E-RAB建立成功率
- 晶體管放大電路的交流負(fù)載線
- s-Measure:系統(tǒng)內(nèi)異頻小區(qū)RSRP起
- 信干噪比
- MSG3消息發(fā)送失敗
- 泛洪式路由協(xié)議
- E-RAB掉話率
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
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