在反激式開關(guān)電源中，A023000AR由于變壓器的次級繞組與初級繞組之間的耦合不可能做到絕對的緊密，它們之間會存在一定的漏感（漏磁產(chǎn)生的自感），當MOS-FET由導通變?yōu)榻刂箷r，這個漏感就會在初級繞組上產(chǎn)生很高的尖峰電壓，與感應(yīng)電壓和電源的直流輸入電壓疊加，將在MOSFET的漏極產(chǎn)生一個極高的電壓，為此，必須增加漏極鉗位保護電路，對尖峰電壓迸行鉗位或吸收，以保護

MOSFET不被擊穿。典型的漏極電壓波形如圖3-24所示，圖中Vi。為輸入直流電壓，Vo，為感應(yīng)電壓（即反射電壓），Vlk為漏感產(chǎn)生的尖峰電壓。

   漏極鉗位保護電路主要有以下4種設(shè)計方案，如圖3-25所示。

   圖3-25(a)所示電路是利用瞬態(tài)電壓抑制器TVS (P6KE200)和阻塞二極管( UF4005)組成的鉗位電路，圖中Np、N。和NB分別代表一次繞組、二次繞組和偏置繞組。MOSFET導通時，由于阻塞二極管反偏，鉗位保護電路截止，電流流經(jīng)一次繞組，感應(yīng)電壓上正下負；當MOSFET斷開時，一次繞組產(chǎn)生的電壓尖峰極性反轉(zhuǎn)為下正上負，此時，阻塞二極管正偏導通，TVS相當于穩(wěn)壓二極管反向擊穿，圖3-24中的Vlk被鉗位于200V。

   圖3-25(b)所示電路是一種由R、C、VD組成的低成本的阻容吸收鉗位電路。利用電容的緩沖、電阻的耗能把尖峰的能量逐漸消耗掉，達到漏極的鉗位保護作用。

   圖3-25(c)和(d)所示電路是由阻容吸收元件、TVS和阻塞二極管構(gòu)成的高性能吸收鉗位電路，既能發(fā)揮TVS的響應(yīng)速度快、可承受瞬態(tài)高能量脈沖的優(yōu)點，又有R、C吸收的作用，降低TVS的應(yīng)力。