同步整流可以有效地提高電源效率，特別是A04806輸出電壓較低時(shí)，二極管的正向壓降占輸出的比例較大，損耗很嚴(yán)重，但由于同一電流級(jí)別的MOSFET管的成本一般要比二極管高，因此采用這一方案時(shí)成本有所升高。開(kāi)關(guān)電源的損耗主要集中在三個(gè)地方：一是整流二極管，二是開(kāi)關(guān)MOSFET，三是變壓器。

   開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗又分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗主要是開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)由其通態(tài)電阻產(chǎn)生的，通常額定電流大的MOSFET的通態(tài)電阻較小，但成本較高，因此條件允許的情況下應(yīng)盡可能采用通態(tài)電阻小的MOSFET;MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗主要是在開(kāi)關(guān)不斷導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中對(duì)MOSFET的柵極電容的充放電而造成的，雖然這個(gè)電容很小，但是在開(kāi)關(guān)頻率很高的情況下，每次給電容充的電荷都要對(duì)地放掉，積累起來(lái)也相當(dāng)可觀，頻率很高時(shí)這部分

損耗甚至可以超過(guò)通態(tài)電阻的損耗，而與通態(tài)電阻的大小與額定電流成反比不同，柵極電容往往隨額定電流酌增加而增大，因此MOSFET的選用和頻率的設(shè)計(jì)對(duì)這兩種損耗的比例權(quán)衡是個(gè)值得關(guān)注的問(wèn)題。

   另一方面，由于MOSFET的輸入和輸出端都存在電容，因此開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，流過(guò)的電流和兩端電壓有交叉，這就形成了開(kāi)關(guān)過(guò)程的損耗。要降低這個(gè)損耗，須設(shè)法使開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通的瞬間漏源間的電壓或電流為零，這就要采用所謂的準(zhǔn)諧振軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。變壓器設(shè)計(jì)不合理也會(huì)產(chǎn)生很大的損耗，如輸入電流過(guò)大，這樣會(huì)增加MOSFET的電流；漏感太大，會(huì)使漏極保護(hù)電路吸收的能耗增加等。