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硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻

發(fā)布時間:2015/5/4 21:25:16 訪問次數(shù):3049

   硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻

   硫化鎘和硒化鎘是可見光區(qū)用得較多的兩種光敏電阻,其光譜響如圖4 -13所示。CdS光敏電阻的特點是它的峰值波長很接近人眼最敏感的555nm波長,GA9101-2MC可用于視覺亮度有關(guān)的測量和底片曝光方面的測量。這種器件有很高的響應(yīng)度,其缺點是受單晶大小的限制,受光面積小,響應(yīng)時間與光照強度有關(guān),隨著光照強度減弱響應(yīng)時間也增加。

     

   硫化鉛(PbS)和硒化鉛(PbSe)光敏電阻

   這些器件多為多晶薄膜型,溫度對光電導(dǎo)的影響也很大,薄膜所處的溫度越高,熱激發(fā)的載流子越多,這和光照的作用相似。由于光照以前熱激發(fā)載流子已降低了勢壘高度,被陷的載流子很少;光照后勢壘降低再釋放的載流子就少了,載流子的遷移率變化也小了,光電導(dǎo)率變化就小。反之,降低器件的使用溫度,熱激發(fā)的載流變少,對勢壘高度下降不大。光照以后降低勢壘高度釋放載流子多,載流子遷移率變化大,光電導(dǎo)率變化也大,所以降低溫度可以提高光敏電阻的響應(yīng)度。


   硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻

   硫化鎘和硒化鎘是可見光區(qū)用得較多的兩種光敏電阻,其光譜響如圖4 -13所示。CdS光敏電阻的特點是它的峰值波長很接近人眼最敏感的555nm波長,GA9101-2MC可用于視覺亮度有關(guān)的測量和底片曝光方面的測量。這種器件有很高的響應(yīng)度,其缺點是受單晶大小的限制,受光面積小,響應(yīng)時間與光照強度有關(guān),隨著光照強度減弱響應(yīng)時間也增加。

     

   硫化鉛(PbS)和硒化鉛(PbSe)光敏電阻

   這些器件多為多晶薄膜型,溫度對光電導(dǎo)的影響也很大,薄膜所處的溫度越高,熱激發(fā)的載流子越多,這和光照的作用相似。由于光照以前熱激發(fā)載流子已降低了勢壘高度,被陷的載流子很少;光照后勢壘降低再釋放的載流子就少了,載流子的遷移率變化也小了,光電導(dǎo)率變化就小。反之,降低器件的使用溫度,熱激發(fā)的載流變少,對勢壘高度下降不大。光照以后降低勢壘高度釋放載流子多,載流子遷移率變化大,光電導(dǎo)率變化也大,所以降低溫度可以提高光敏電阻的響應(yīng)度。


相關(guān)技術(shù)資料
5-4硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻
相關(guān)IC型號
GA9101-2MC
GA9102-2MC
GA9157-08-F

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