從晶體管理論可知，AD5667RBRMZ-2當把N型半導體和P型半導體結合在一起時，N型半導體中的電子和P型半導體中的空穴就會互相擴散，見圖4 -17(a)，結果在PN區(qū)交界面附近形成一個很薄的空間電荷區(qū)，產生如圖4 - 17(b)所示的內電場，方向由N區(qū)指向P區(qū)。當光線照射P-N結時，P-N緒將吸收入射光子。如果光子能量超過半導體材料的禁帶寬度，則由半導體能帶理論可知，在P-N結附近會產生電子和空穴。在內電場的作用下，空穴移向P區(qū)，電子移向N區(qū)，移動的結果，在N區(qū)聚集大量的電子而帶上負電，在P區(qū)聚集大量的空穴而帶上正電。于是在P區(qū)和N區(qū)之間產生了電勢，成為光生電動勢。如果用導線和電阻把N區(qū)和P區(qū)連接起來，回路中就會有光電流，流過，電流方向是由P區(qū)流向N區(qū)，如圖4 - 17(c)所示，這就是光電池受光照時產生光生電動勢和光電流的基本原理。

   圖4 -17光電池工作原理示意圖

   光電池與后面將提到的光電二極管相比，其摻雜濃度高，電阻率低(0.1~0. Olfl．cm-1)，易于輸出光電流。短路光電流與入射光功率成線性關系，開路光電壓與入射光功率為對數關系，如圖4 -18所示。當光電池外接負載電阻RL后，負載電阻RL上所得電壓和電流如圖4 -19所示。RL應選在特性曲線轉彎點，這時電流和電壓乘積最大，光電池輸出功率為最大。