另一種是12壞。陛擊穿AD8397ARZ鋁徹底侵入氧化層，使氧化層的絕緣作用完全喪失。柵氧較薄時，用自對準工藝，柵電極采用多晶 硅材料制作。

   柵氧的擊穿與硅中雜質(zhì)、氧化工藝、柵極材料、施加電場大小及極性等因素有關(guān)，其擊穿百分比與擊穿時施加場強的關(guān)系如圖4.12所示。擊穿的情況可分為A、B、C三個區(qū)或模式。A區(qū)一般場強在MV／cm以下，它是由于柵氧中孔    0    2    4    6    8    10    12EBD/mV/cni    。引起的。B區(qū)的擊穿場強EBD為2MVlcm<EBD<8MV/crri，一般認為是由于Na+沾    圖4.12柵氧的擊穿失效百分數(shù)與擊穿場強的關(guān)系污等缺陷引起的。C區(qū)的EBD>8MV/cni，為本征擊穿。

   過去認為柵氧的TDDB主要足Na+等沾污引起的，經(jīng)過不斷努力，采用各種有效防止Na+沾污的措施，現(xiàn)已做到基本上無N ai-沾污（MOS電容經(jīng)溫度一偏壓的B-T處理后，可動電荷在1×1010個lcn12以下，處理前后C-V曲線已無移動），以及采用二步（三步）HC1氧化法，使Si-Si0：界面處，從微觀上平整無凹凸接觸，以減少界面處場強。這種柵氧的擊穿場強基本上在lOMV／cm以上，但仍發(fā)生TDDB，所以柵氧的TDDB是VI)SI中的一個重要的可靠性問題。