二次擊穿(SB)現(xiàn)象不僅在雙極功率管中存在，而且在點接觸二極管、CMOS集成電路中也存在。 LC78816MC-TE-L當(dāng)器件被偏置在某一特殊工作點(平面上USB、ISB處)時，電壓突然降落，電流突然上升，出現(xiàn)負阻的物理現(xiàn)象叫丘二次擊穿。這時若無限流或其他保護措施，器件將燒毀。雙極功率晶體管的二次擊穿情況如圖4. 19所示。

   二次擊穿與雪崩擊穿（一次擊穿）不同，雪崩擊穿是電擊穿，一旦反偏壓下降，器件（若擊穿是在限流控制下）又可恢復(fù)正常，它是可逆非破壞性的。二次擊穿是破壞性的熱擊穿，并且為不可逆過程，有過量電流流過PN結(jié)，溫度很高，使PN結(jié)燒毀。    

   電壓開始跌落的點稱二次擊穿觸發(fā)點， 其功率記為PSB，在二次擊穿觸發(fā)點停留的 (IB<O)和基極開路O(IB=o)時時間Cd稱二次擊穿“延遲時間”，則二次擊穿  由于PSBR<PSBO<PSBF，發(fā)射結(jié)反偏時最容易引起二次擊穿，這是由于反偏時電流在基區(qū)電阻上產(chǎn)生橫向壓降使電流聚集在發(fā)射區(qū)中間，電流密度更大所造成的。二次擊穿與電壓、電流脈沖作用時間和基區(qū)電阻率有關(guān)。