二極管的伏安特性示意圖如圖6-2所示。

   如圖6-2所示是二極管的伏安特性，即二極管兩端的電壓和流過二極管電流的關(guān)系曲線。由圖可見，L4973D5.1-013TR它有正向特性和反向特性兩部分。

   (1)正向特性  當二極管承受的正向電壓很低時，外電場不足以克服內(nèi)電場對多數(shù)載流子擴散運動的阻力，故正向電流IF很小，幾乎為零。這一段所對應(yīng)的電壓稱為死區(qū)電壓或閾值電壓。通常，硅二極管的死區(qū)電壓約為0. 5V，鍺二極管的死區(qū)電壓約0. 2V。當正向電壓大于死區(qū)電壓后，PN結(jié)的內(nèi)電場被大大削弱，正向電流迅速增大，而正向電阻變得很小。二極管充分導(dǎo)通后，其特性曲線很陡，二極管兩端電壓幾乎恒定，該電壓稱為二極管的正向?qū)妷篣F。硅二極管的UF約為0.7V，鍺二極管的UF約為0.3V。

   (2)反向特性  二極管兩端加反向電壓時，外電場方向和內(nèi)電場方向一致，只有少數(shù)載流子的漂移，形成很小的反向漏電流。由于少數(shù)載流子數(shù)曰很少，在相當大的反向電壓范圍內(nèi)，反向電流幾乎恒定，故稱為反向飽和電流IR。正常情況下，硅二極管的IR在幾微安以下，鍺二極管的IR較大，一般在幾十至幾百微安。