目前，多晶硅MSK-01m太陽能電池每lOOcm2單位面積的轉(zhuǎn)換效率為15.8%（Sharp公司），在實(shí)驗(yàn)室中多晶硅太陽能電池每4cm2單位面積的轉(zhuǎn)換效率為17.8% (UNSW)，多晶硅太陽能電池的一般轉(zhuǎn)換效率為10%～15%，多晶硅太陽能電池組件的轉(zhuǎn)換效率為9%～12%。

   常規(guī)的晶體硅太陽能電池是在厚度為350～450ym的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)昝材料，人們從20世紀(jì)70年代中期就開始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒太小，未能制成有價(jià)值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜太陽能電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積( LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝。此外，液相外延法(LPPE)和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜太陽能電池。

   化學(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2. SiHCl3. SiCl4或SiH4為反應(yīng)氣體，在一定的保護(hù)氣（氛）下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、Si02、Si3N4等。但研究發(fā)現(xiàn)，在非硅襯底上很難形成較大的晶粒，并且容易在晶粒間形成空隙。解決這一問題的辦法是先用LPCVD在襯底上沉積一層較薄的非晶硅層，再將這層非晶硅層退火，得到較大的晶粒，然后再在這層籽晶上沉積厚的多晶硅薄膜，因此，再結(jié)晶技術(shù)無疑是很重要的一

個(gè)環(huán)節(jié)，目前采用的技術(shù)主要有固相結(jié)晶法和中區(qū)熔再結(jié)晶法。多晶硅薄膜太陽能電池除采用了再結(jié)晶工藝外，另外采用了幾乎所有制備單晶硅太陽能電池的技術(shù)，這樣制得的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率明顯提高。