用1496模擬相乘器等元器件
發(fā)布時(shí)間:2015/8/22 17:49:33 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1040
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
用1496模擬相乘器等元器件, C503C-WAN-CBADA151參照?qǐng)D3.5.1所示的原理電路構(gòu)成混頻器。
1.本振、緩沖級(jí)的調(diào)整
調(diào)節(jié)Rwi,使BGi的Ve為4V,改變厶及RW2,在測(cè)試點(diǎn)①端測(cè)量使本振信號(hào)頻率fL為10 MHz,振幅VLm為0.5 V左右。
2.混頻器輸出回路的調(diào)整
使RW4=0,調(diào)節(jié)Rws,使厶為1 mA。100 mV的高頻信號(hào)送至混頻器的蠔輸入端。在測(cè)試點(diǎn)②端測(cè)得VI頻率為2 MHz。
3.測(cè)量VI - VL關(guān)系曲線(xiàn)
將信號(hào)發(fā)生器輸出頻率/為8 MHz、幅值為保持上述本振信號(hào)不變,分別調(diào)節(jié)C14、三2,在上述內(nèi)容1、2調(diào)整完畢的基礎(chǔ)上,改變RW2以改變本振幅度,用超高頻毫伏表測(cè)量其本振幅度VL及混頻器輸出幅度VI,測(cè)出一組VI =f(VL)的曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。
4.測(cè)量VI-15關(guān)系曲線(xiàn)
在實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、2調(diào)整完畢的基礎(chǔ)上,改變Rws以改變厶,測(cè)出一組VI =f (/5)的曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
用1496模擬相乘器等元器件, C503C-WAN-CBADA151參照?qǐng)D3.5.1所示的原理電路構(gòu)成混頻器。
1.本振、緩沖級(jí)的調(diào)整
調(diào)節(jié)Rwi,使BGi的Ve為4V,改變厶及RW2,在測(cè)試點(diǎn)①端測(cè)量使本振信號(hào)頻率fL為10 MHz,振幅VLm為0.5 V左右。
2.混頻器輸出回路的調(diào)整
使RW4=0,調(diào)節(jié)Rws,使厶為1 mA。100 mV的高頻信號(hào)送至混頻器的蠔輸入端。在測(cè)試點(diǎn)②端測(cè)得VI頻率為2 MHz。
3.測(cè)量VI - VL關(guān)系曲線(xiàn)
將信號(hào)發(fā)生器輸出頻率/為8 MHz、幅值為保持上述本振信號(hào)不變,分別調(diào)節(jié)C14、三2,在上述內(nèi)容1、2調(diào)整完畢的基礎(chǔ)上,改變RW2以改變本振幅度,用超高頻毫伏表測(cè)量其本振幅度VL及混頻器輸出幅度VI,測(cè)出一組VI =f(VL)的曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。
4.測(cè)量VI-15關(guān)系曲線(xiàn)
在實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、2調(diào)整完畢的基礎(chǔ)上,改變Rws以改變厶,測(cè)出一組VI =f (/5)的曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。
熱門(mén)點(diǎn)擊
推薦技術(shù)資料
- 繪制印制電路板的過(guò)程
- 繪制印制電路板是相當(dāng)重要的過(guò)程,EPL2010新穎的理... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究