融物的薄膜附著到籽晶上然后冷卻。在冷卻MC9S12DG256BMPV過程中，在熔化的半導(dǎo)體材料的原子定向到籽晶一樣的晶體結(jié)構(gòu)，、實(shí)際結(jié)果是籽晶的定向在生長(zhǎng)的晶體中傳播。在熔融物中的摻雜原子進(jìn)人生長(zhǎng)的晶體中，生成N型或P型晶體。

   圖3. 10晶體生長(zhǎng)從籽晶開始

   為了實(shí)現(xiàn)均勻摻雜、完美晶體和直徑控制，籽晶和坩堝（伴隨著拉速）在整個(gè)晶體生長(zhǎng)過程中以相反的方向旋轉(zhuǎn)。工藝控制需要一套復(fù)雜的反饋系統(tǒng)，綜合轉(zhuǎn)速、拉速及熔融物溫度參數(shù)。

   拉晶分為3個(gè)段，開始放肩形成一薄層頭部，接著是等徑生長(zhǎng)，最后是收尾。直拉法能夠生成幾英尺長(zhǎng)和直徑達(dá)到450 mm（18英寸）的晶體。450 mm晶圓的晶體質(zhì)量將會(huì)達(dá)到800 kg，需要花費(fèi)3天時(shí)間來生長(zhǎng)。

   質(zhì)量更大的晶體可能導(dǎo)致碎裂成小直徑的籽晶（約4 mm）|4、，一個(gè)解決方案是用被稱為縮頸( dash necking)的工藝開始生長(zhǎng)。在開始生長(zhǎng)階段，生長(zhǎng)加粗部分。它為更大的晶體提供了機(jī)械強(qiáng)度支撐（見圖3. 11）。