圖形化I：藝( pattcjming)是通過一系列牛產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的在此之后， SN74HC14N占由嘲表面會留F帶有微圖形( pattern)結(jié)構(gòu)的薄膜  被除去部分的叮能肜狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部分.

   圖形化1：藝電稱為大家熟知的光掩�！畃hotomasking’：芒掩模( fna.Sking)、光刻(phc)t(，lithography)或微光刻(mi(1rolilrtht，graphy)  在晶嘲的制造過程中，晶體i極管一二極管隆4.8 電容器、電阻器和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表

』z；內(nèi)構(gòu)成這些部件足每次在一個(gè)掩膜層f：乍成的，并fIl結(jié)合牛成薄膜及去除特定部分，通過l割形化l：藝過程，最終在晶圓1-保留特征網(wǎng)形的部分，光刻qi產(chǎn)的目標(biāo)是根據(jù)電路設(shè)汁的要求，葉i成尺,f精確的特征圖形，日在晶圓表面的位置要正確，而凡與其他層的關(guān)聯(lián).

   H形化I：藝足所自4個(gè)基本I：藝中最關(guān)鍵的。，圖形化L_藝確定r器件的關(guān)鍵尺寸  圖形化1．藝過程中的錯誤町能造成圖形歪曲或套準(zhǔn)不好．最終町轉(zhuǎn)化為對器件的電特性產(chǎn)乍影響圖形的錯位也會導(dǎo)致類似的不良結(jié)果圖形化I：藝中的另一個(gè)問題是缺陷，圖形化r：藝是高科技版本的照相術(shù)，只不過是在難以置信的微小尺寸下完成的。在制程中的污染物會造成缺陷  事。實(shí)Ij由于圖形化『：藝在現(xiàn)代晶圓牛產(chǎn)過程中要完成30層或更多，所以污染問題將會放大.