根據(jù)光的量子理論，P6KE120A頻率為Ⅳ的光照到材料表面時(shí)，進(jìn)入固體的光能總是以整個(gè)光子的能量hxv起作用。固體中的電子吸收了能量后將增加動(dòng)能。其中向表面運(yùn)動(dòng)的電子，如果吸收的光能滿足途中由于與品格或其他電子碰撞而損失的能量外，尚有一定能量足以克服材料表面的勢(shì)壘（或叫逸出功），那么這些電子可以穿出材料表面，這些逸出表面的電子又稱光電子。這種現(xiàn)象叫光電子發(fā)射或外光電效應(yīng)。

   逸出表面的光電子最大可能的動(dòng)能由愛(ài)因斯坦方程描述：

   Ek是光電子的動(dòng)能，Ek = 1my2，其中m是光電子質(zhì)量；∥是光電子離開(kāi)材料表面的速度；∞是光電子發(fā)射材料的逸出功，表示產(chǎn)生一個(gè)光電子必須克服材料表面對(duì)其束縛的能量。

   光電子的動(dòng)能與照射光的強(qiáng)度無(wú)關(guān)，僅隨入射光的頻率增加而增加。

   若光照射到某些半導(dǎo)體材料上時(shí)，透射到材料內(nèi)部的光子能量足夠大，某些電子吸收光子的能星，從原來(lái)的束縛態(tài)變成導(dǎo)電的自由態(tài)，這時(shí)在外電場(chǎng)的作用下，流過(guò)半導(dǎo)體的電流會(huì)增大，即半導(dǎo)體的電導(dǎo)增大，這種現(xiàn)象叫光電導(dǎo)效應(yīng)。它是一種內(nèi)光電效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)可分為本征型和雜質(zhì)型兩類。