20世紀(jì)80年代中期以前，變頻裝置功率回路主要采用第1代電力電子器件，以晶閘管ADS1110A1IDBVT為主，這種裝置的效率、可靠性、成本、體積均無法與同容量的直流調(diào)速裝置相比。80年代中期以后采用第2伐電力電子器件如GTR、GTO、VDMOS&IGBT等制造的變頻裝置在性價(jià)比上可以與直流調(diào)速裝置相媲美。隨著向大電流、高電壓、高頻化、集成化、模塊化方向繼續(xù)發(fā)展，第3代電力電子器件是20世紀(jì)90年代制造變頻裝置的主流產(chǎn)品，中小功率的變頻調(diào)速裝置(1~ lOOOkW)主要采用IGBT，大功率的變頻調(diào)速裝置(100~lOOOOkW)采用GTO。20世紀(jì)90年代末，電力電子器件的發(fā)展進(jìn)入了第4代，如高壓IGBT、IGCT、IEGT、SGCT、智能功率模塊(IPM)等。

   變頻器的逆變器普遍采用大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管( MOSET)、功率晶體管(GTR)、門極關(guān)斷( GTO)晶閘管等的自關(guān)斷器件，其中GTR應(yīng)用最為普遍。但是在調(diào)制策略發(fā)展和要求逆變器輸出諧波分量更小的情況下，必須提高開關(guān)頻率，為此，GTR滿足不了這個(gè)要求，于是開發(fā)出了一種新器件-IGBT。IGBT的全稱是絕緣柵雙極型晶體管，是一種把MOSET與GTR巧妙結(jié)合在一起的電壓型雙極/MOS復(fù)合器件，IGBT具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、元器件損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)功率小、極限溫度高、熱阻小、飽和壓降和電阻低、電流容量大、抗浪涌能力強(qiáng)、安全區(qū)寬、并聯(lián)容易、穩(wěn)定可靠及模塊化等一系列優(yōu)點(diǎn)，是一種極理想的開關(guān)器件。目前，2400A電流、3300V電壓、40kHz開關(guān)頻率的IGBT已在小、中、大功率蒗圍內(nèi)使用。IGBT不僅用于500V以下低壓變頻器，還可以用于1000V以上高壓變頻器以驅(qū)動(dòng)高壓電動(dòng)機(jī)。此類中壓、高壓變頻器采用多電平逆變器輸出高壓，也可用變壓器降壓一低壓變頻器一變壓器升壓的方式。由于IGBT具有性能較好的優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)近十年內(nèi)不會(huì)被新開發(fā)的器件所取代。