光電管的伏安特性表示為當(dāng)入射光的照度（或光通量）一定時，光電管輸出的光HD74HC00RPEL電流與偏壓的關(guān)系。圖5.22 (a)和(b)分別表示硅光電二極管和硅光電三極管的伏安特性曲線。由圖可見，硅光電三極管的伏安特性曲線與硅光電二極管的特性曲線稍有不同。

   ①在相同照度下，硅光電三極管的光電流比硅光電二極管大得多，一般硅光電三極管的光電流在毫安量級，程光電二極管的光電流在微安量級；

   ②在零偏置時硅光電二極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒有光電流輸出，這是因為光電二極管具有光生伏特效應(yīng)，而硅光電三極管集電極雖然也能產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)，但因集電極無偏置電壓，沒有電流放大作用，故微小的電流在毫安級的坐標中表示不出來；

   ③當(dāng)工作電壓較低時輸出的光電流為非線性，即光電流與偏壓有關(guān)，但硅光電三極管的非線性較嚴重，這是因為硅光電三極管的∥與工作電壓有關(guān)，為了得到較好的線性，要求工作電壓盡可能高些；

   ④在一定的偏壓下，硅光電三極管的伏安特性曲線在低照度時較均勻，在高照度時曲線越來越密，雖然光電二極管也有這種現(xiàn)象，但硅光電三極管嚴重得多，這是因為硅光電三極管的∥是非線性的。