反向擊穿電壓VR
發(fā)布時間:2016/2/8 10:31:06 訪問次數(shù):1723
反向擊穿電壓VR: LED正常工作時,兩端所EP1C6T144C6N允許的最大反向電壓。對LED所加反向電壓超過此值時,LED將被反向擊穿,一般大功率LED的反向擊穿電壓VR為幾伏。與其相關(guān)的極限值稱為最大反向電壓VRm,超越VRm會引起反向電流大幅增加。
與普通二極管類似,測試LED的反向擊穿電壓VR,當(dāng)電壓高于這一電壓時,反偏電流會大幅增加,但反向電壓變化不大,這一參數(shù)的技術(shù)指標(biāo)通常是一個最小值。測試時在一段特定時間內(nèi)提供一個較低的反偏電流,同時測量LED兩端的電壓降。測量結(jié)果通常在幾伏到幾十伏的量級。
反向漏電流h:加在LED兩端的反向電壓為一定值時,流過LED的電流代表了LED芯片在反向電壓偏置下產(chǎn)生的漏電流。
當(dāng)反向電壓低于擊穿電壓時,LED中有小電流泄漏,可測試、檢驗LED的漏電流凡。測斌時加載特定的反向電壓,經(jīng)過一定的時間后測量流過LED的相應(yīng)電流。測試過程要檢驗測得的漏電流是否低于一定的閾值。這些電流的測量結(jié)果通常在納安到毫安的量級。
反向擊穿電壓VR: LED正常工作時,兩端所EP1C6T144C6N允許的最大反向電壓。對LED所加反向電壓超過此值時,LED將被反向擊穿,一般大功率LED的反向擊穿電壓VR為幾伏。與其相關(guān)的極限值稱為最大反向電壓VRm,超越VRm會引起反向電流大幅增加。
與普通二極管類似,測試LED的反向擊穿電壓VR,當(dāng)電壓高于這一電壓時,反偏電流會大幅增加,但反向電壓變化不大,這一參數(shù)的技術(shù)指標(biāo)通常是一個最小值。測試時在一段特定時間內(nèi)提供一個較低的反偏電流,同時測量LED兩端的電壓降。測量結(jié)果通常在幾伏到幾十伏的量級。
反向漏電流h:加在LED兩端的反向電壓為一定值時,流過LED的電流代表了LED芯片在反向電壓偏置下產(chǎn)生的漏電流。
當(dāng)反向電壓低于擊穿電壓時,LED中有小電流泄漏,可測試、檢驗LED的漏電流凡。測斌時加載特定的反向電壓,經(jīng)過一定的時間后測量流過LED的相應(yīng)電流。測試過程要檢驗測得的漏電流是否低于一定的閾值。這些電流的測量結(jié)果通常在納安到毫安的量級。
熱門點擊
- 噪聲等效功率NEP和探測率D
- 光電導(dǎo)式攝像管
- 幀轉(zhuǎn)移三相面陣CCD的原理結(jié)構(gòu)
- 光電倍增管的應(yīng)用
- 脈沖調(diào)制信號的解調(diào)
- 電動機以及變頻器必須進(jìn)行接地
- 鏡反射式光電開關(guān)
- Amorphous定位算法
- 按載波波形和調(diào)制方式分類
- 電荷的檢測(輸出方式)
推薦技術(shù)資料
- 1.6T OSFP Coher
- 5G-A 調(diào)制解調(diào)器解決方案
- 新款5G分離式Modem芯片應(yīng)
- 高分子混合鋁電解電容應(yīng)用詳解
- HEV/PHV/EV 基礎(chǔ)控制(電池、逆變器
- 離散半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究