分析結(jié)果的輸出
發(fā)布時(shí)間:2016/2/28 14:55:37 訪問(wèn)次數(shù):482
與DC分析惰況類(lèi)似,AC分析結(jié)束后分析結(jié)果將自動(dòng)存入以DAT為擴(kuò)展名的PROBE數(shù)據(jù)文件。 E2E-X5MY2-Z這時(shí)可按第5章介紹的方法,調(diào)用Probe模塊,選擇觀察不同節(jié)點(diǎn)處的交流電壓和/或支路電流的交流頻率響應(yīng)。
如果用戶(hù)需要,也可以按照第7章介紹的方法將結(jié)果存入OUT輸出文件。
對(duì)圖3-1所示差分對(duì)電路,信號(hào)源Vl的AC交流信號(hào)源屬性設(shè)置為:振幅值設(shè)置為1V,初始相位為0度。按圖3-4的設(shè)置進(jìn)行AC分析后,調(diào)用Probe模塊(見(jiàn)第5章)得到的out2節(jié)點(diǎn)處交流特性分析結(jié)果如圖3-15所示。
提示:AC Sweep是交流小信號(hào)頻率響應(yīng)分析,重點(diǎn)關(guān)注的是電路對(duì)輸入交流小信號(hào)的放大倍數(shù)隨頻率的關(guān)系。需要指出的是,目前有一種誤解,認(rèn)為“小信號(hào)”的條件是交流信號(hào)振幅值遠(yuǎn)小于直流工作點(diǎn)電壓,這是不正確的。
與DC分析惰況類(lèi)似,AC分析結(jié)束后分析結(jié)果將自動(dòng)存入以DAT為擴(kuò)展名的PROBE數(shù)據(jù)文件。 E2E-X5MY2-Z這時(shí)可按第5章介紹的方法,調(diào)用Probe模塊,選擇觀察不同節(jié)點(diǎn)處的交流電壓和/或支路電流的交流頻率響應(yīng)。
如果用戶(hù)需要,也可以按照第7章介紹的方法將結(jié)果存入OUT輸出文件。
對(duì)圖3-1所示差分對(duì)電路,信號(hào)源Vl的AC交流信號(hào)源屬性設(shè)置為:振幅值設(shè)置為1V,初始相位為0度。按圖3-4的設(shè)置進(jìn)行AC分析后,調(diào)用Probe模塊(見(jiàn)第5章)得到的out2節(jié)點(diǎn)處交流特性分析結(jié)果如圖3-15所示。
提示:AC Sweep是交流小信號(hào)頻率響應(yīng)分析,重點(diǎn)關(guān)注的是電路對(duì)輸入交流小信號(hào)的放大倍數(shù)隨頻率的關(guān)系。需要指出的是,目前有一種誤解,認(rèn)為“小信號(hào)”的條件是交流信號(hào)振幅值遠(yuǎn)小于直流工作點(diǎn)電壓,這是不正確的。
上一篇:頻率參數(shù)設(shè)置
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 指數(shù)信號(hào)( Exponential Wave
- 三極管放大系數(shù)隨著溫度的變化將發(fā)生很大變化
- 端口連接符號(hào)的繪制(Place—Off-Pa
- 硅光電二極管原理圖及符號(hào)
- 硅光電二極管結(jié)構(gòu)及工作原理
- 激光散射法
- 正、負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的溫度特性曲線是非線
- Decade選項(xiàng)表示自變量按數(shù)量級(jí)關(guān)系變化
- 輸入必需的光學(xué)特性和初始結(jié)構(gòu)ZEMAX透鏡編
- 雙頻激光干涉儀為典型的邁克爾遜干涉儀結(jié)構(gòu)
推薦技術(shù)資料
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級(jí)接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導(dǎo)體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究