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電容、電感初始解的設(shè)置

發(fā)布時(shí)間:2016/3/23 20:43:17 訪問次數(shù):1204

   電容和電感元件的參數(shù)設(shè)置中有一項(xiàng)名稱為IC(表示Initial Condition)的參數(shù),用于EMP8733-25VB03GRR設(shè)置電容和電感元件兩端的初始條件。這些設(shè)置在所有的直流偏置求解計(jì)算過程中均起作用。但是在TRAN瞬態(tài)分析中,如果選中了參數(shù)“Skip the initial transient bias point calculation”(見第3章中圖3-17),則瞬態(tài)分析前將不求解直流偏置工作點(diǎn)。設(shè)置有IC參數(shù)值的元器件將以其IC設(shè)置值作為偏置解,其他元器件的初始電壓或電流值取為0。

   對(duì)電容,IC值的設(shè)置相當(dāng)于在求解時(shí)與電容并聯(lián)一個(gè)串聯(lián)電阻為0.002Q的電壓源。對(duì)電感,相當(dāng)于與電感串聯(lián)一個(gè)恒流源,而與恒流源又并聯(lián)一個(gè)1GQ的電阻。

   電容和電感元件的參數(shù)設(shè)置中有一項(xiàng)名稱為IC(表示Initial Condition)的參數(shù),用于EMP8733-25VB03GRR設(shè)置電容和電感元件兩端的初始條件。這些設(shè)置在所有的直流偏置求解計(jì)算過程中均起作用。但是在TRAN瞬態(tài)分析中,如果選中了參數(shù)“Skip the initial transient bias point calculation”(見第3章中圖3-17),則瞬態(tài)分析前將不求解直流偏置工作點(diǎn)。設(shè)置有IC參數(shù)值的元器件將以其IC設(shè)置值作為偏置解,其他元器件的初始電壓或電流值取為0。

   對(duì)電容,IC值的設(shè)置相當(dāng)于在求解時(shí)與電容并聯(lián)一個(gè)串聯(lián)電阻為0.002Q的電壓源。對(duì)電感,相當(dāng)于與電感串聯(lián)一個(gè)恒流源,而與恒流源又并聯(lián)一個(gè)1GQ的電阻。

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