當(dāng)p型雜質(zhì)摻雜濃度很大時(shí), L7808CV會(huì)帶來雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)膯栴}。材料中氮位/N點(diǎn)缺陷起到施主的作用,易與Mg作用形成中性的絡(luò)合物,從而降低材料中的空穴濃度。此外,摻雜過程中引入的外部雜質(zhì)也可能帶來雜質(zhì)補(bǔ)償作用,降低Mg雜質(zhì)的激活效率陰。

   雜質(zhì)的有效注入

   我們知道,只有Mg原子替位Ga原子時(shí)才能起到受主的作用,也即為有效的雜質(zhì)注入;而Mg如果形成間隙原子或替N位原子,則起不到受主作用。根據(jù)半導(dǎo)體物理學(xué),雜質(zhì)在晶格中的存在方式和雜質(zhì)原子的大小有關(guān),當(dāng)雜質(zhì)原子與格點(diǎn)原子半徑大小相差不多時(shí),主要形成替位雜質(zhì);而當(dāng)雜質(zhì)半徑比格點(diǎn)處的原子小時(shí),主要形成間隙雜質(zhì)。由于Mg與Ga的原子半徑相差不多,所以Mg在GaN中主要是形成替位原子,有效注入的比例很高,這也是通常選Mg做p型摻雜劑的原因之一。而對(duì)于h摻雜,當(dāng)Ⅱ替位Ga時(shí)可以起到受主的作用,但由于u的原子半徑較小,其在GaN中主要形成間隙雜質(zhì),而Li在間隙位置

呈現(xiàn)施主特性,因此Ⅱ摻雜的GaN材料自補(bǔ)償現(xiàn)象十分嚴(yán)重。