與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)LED相比,垂直結(jié)構(gòu)LED具有許多優(yōu)點(diǎn):

   (1)平面結(jié)構(gòu)LED的P、N電極在同一側(cè),電流在n型和p型GaN限制層中橫向流動(dòng),電流分布不均勻,JM20339導(dǎo)致電流擁擠,發(fā)熱量高[如圖4-35(a)所示⒈而垂直結(jié)構(gòu)LED兩個(gè)電極分別在LED芯片外延層的上下兩側(cè),電流幾乎全部垂直流過外延層,沒有橫向流動(dòng)的電流,電流分布均勻,產(chǎn)生的熱量減少[蟲口圖⒋35(b)所示]。

   圖⒋36 比較垂苴結(jié)構(gòu)與水平結(jié)構(gòu)r/特性曲線

   (2)傳統(tǒng)的正裝結(jié)構(gòu)采用藍(lán)寶石襯底,由于藍(lán)寶石襯底不導(dǎo)電,所以需要刻蝕臺(tái)面,犧牲了有源區(qū)的面積。另外,由于藍(lán)寶石襯底的導(dǎo)熱性差[35W/(m・K)],限制了LED芯片的散熱;垂直結(jié)構(gòu)LED采用鍵合與剝離的方法將藍(lán)寶石襯底去除,換成導(dǎo)電性好并且具有高熱導(dǎo)率的襯底,不僅不需要刻蝕臺(tái)面,可充分的利用有源區(qū),降低電壓,提升亮度,而且可有效地散熱。如圖⒋36所示,相同芯片在相同驅(qū)動(dòng)電流下,垂直結(jié)構(gòu)芯片正向電壓明顯低于傳統(tǒng)的水平結(jié)構(gòu)芯片。